Исследование характеристик фотодиодов и фототранзисторов. - 4 стр.

Рисунок 2. Зависимости тока короткого замыкания Iкз , напряжения холо-
     стого хода Uхх и фототока Iф от мощности светового потока Ф.


     В фотодиодном режиме фототок прямо пропорционален падающему
световому   потоку, и    световая (энергетическая)      характеристика
I ф =f(Ф) практически линейна (рисунок 2). Инерционность фотодиода
определяется, прежде всего, скоростью процесса разделения носителей
в р-п-переходе и скоростью перезаряда барьерной емкости. Наименее
инерционны фотодиоды с точечным переходом или с барьером Шотки.
     Фототранзистор – это транзистор, в котором инжекция неравновес-
ных носителей осуществляется на основе внутреннего фотоэффекта. Фото-
транзистор служит для преобразования световых сигналов в электрические
с одновременным усилением фототока. Фототранзистор представляет со-
бой монокристаллическую полупроводниковую пластину, в которой при
помощи особых технологических приёмов созданы 3 области, называемые,
как и в обычном транзисторе, эмиттером, коллектором и базой, причём по-
следняя, в отличие от БП транзистора, как правило, вывода не имеет. Кри-
сталл монтируется в защитный корпус с прозрачным входным окном.
Включение фототранзистора во внешнюю электрическую цепь подобно
включению биполярного транзистора, выполненному по схеме с общим
эмиттером и нулевым током базы. При попадании света на коллекторно-

                                   4