Исследование характеристик фотодиодов и фототранзисторов. - 5 стр.

базовый переход в нем образуются парные носители зарядов (электроны и
дырки), которые разделяются электрическим полем коллекторного перехо-
да. В результате в базовой области накапливаются основные носители, что
приводит к снижению потенциального барьера эмиттерного перехода и
увеличению (примерно в β- раз) тока через фототранзистор по сравнению с
током, обусловленным переносом только тех носителей, которые образо-
вались непосредственно под действием света.
     Семейство вольтамперных характеристик фототранзистора Iк=f(Uкэ)
при Ф=const показана на рисунке 3.




 Рисунок 3. Семейство вольт-амперных характеристик фототранзистора.


     Семейство вольтамперных характеристик фототранзистора не отли-
чается от ВАХ биполярного транзистора, но входным параметром является
не ток базы, а световой поток.
     Основными параметрами и характеристиками фототранзисто-
ров, как и других фотоэлектрических приборов (например, фотоэлемента,
фотодиода), являются:
     • интегральная чувствительность (отношение фототока к падаю-
щему световому потоку), у лучших образцов фототранзистора (например,
изготовленных по диффузионной планарной технологии) она достигает
10 А/лм;


                                     5