Исследование характеристик фотодиодов и фототранзисторов. - 6 стр.

     • спектральная характеристика (зависимость чувствительности к
монохроматическому излучению от длины волны этого излучения), позво-
ляющая, в частности, установить красную (длинноволновую) границу
применимости фототранзистора, эта граница (зависящая, прежде всего, от
ширины запрещенной зоны полупроводникового материала) для германие-
вого фототранзистора составляет 1,7 мкм, для кремниевого - 1,1 мкм;
     • постоянная времени (характеризующая инерционность фото-
транзистора) не превышает нескольких сотен мкс. Кроме того, фототран-
зистор характеризуется коэффициентом усиления первоначального фото-
тока, достигающим 102-103.
     Высокие надёжность, чувствительность и временная стабильность
параметров фототранзистора, а также его малые габариты и относительная
простота конструкции позволяют широко использовать фототранзистор в
системах контроля и автоматики - в качестве датчиков освещённости, эле-
ментов гальванической развязки и т.д.


     Описание лабораторной установки
     Основой лабораторной установки является серийный прибор
CHARACTERISCOPE-Z (тип ТР-4805), позволяющий снимать семейство
вольтамперных характеристик (ВАХ) при различных величинах свето-
вого потока.
     На основе этих характеристик можно определить следующие па-
раметры фотодиода:
     − световую (энергетическую) характеристику в фотодиодном ре-
жиме;
     − токовую чувствительность в фотодиодном режиме; зависимость
тока короткого замыкания от светового потока в фотогальваническом
режиме; зависимость напряжения холостого хода от светового потока в
фотогальваническом режиме; оптимальное сопротивление нагрузки в


                                    6