Моделирование радиационных эффектов в структурах металл-диэлектрик-полупроводник. Иванков Ю.В - 31 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

температуре (кривая 1) и при ее отсутствии (кривая 2) положительного заряда от полной поглощенной дозы
( участок I). На участке II показано последующее действие температуры на облученные образцы. Следует
отметить , что при одновременном воздействии облучения и температуры значение накопленного заряда
выше, чем при последовательном действии облучения и термического отжига , при одинаковых
поглощенных дозы .
Рис.7. Зависимость плотности эффективного заряда от дозы радиации (участок I), от времени
термического отжига (участок II), от времени УФ облучения квантами ближнего спектра (участок III) и
последующего термического отжига (участок IV).
Температура отжигов T
отж
= 700 К .
Концентрация мелких ловушечных уровней N
t1
= 5⋅10
18
см
-3
,
концентрация глубоких ловушечных уровней N
t2
= 5⋅10
18
см
-3
,
энергия УФ -квантов < 6 эВ
Релаксация радиационно - индуцированного заряда в подзатворном
диэлектрике под воздействием УФ - квантов ближнего спектра. На рис.7
показана зависимость значения радиационно - индуцированного заряда от
поглощенной дозы (участок I) и от времени УФ облучения (участокIII).
Снижение до нуля захваченного положительно заряда под действием УФ
облучения свидетельствует о полном восстановлении исходных значений
концентраций ловушечных уровней в диэлектрике. Термостабильность
оставшейся после УФ -обработки, части радиационного заряда
0,00E+0
0
5,00E+1
0
1,00E+1
1
1,50E+1
1
2,00E+1
1
2,50E+1
1
3,00E+1
1
3,50E+1
1
4,00E+1
1
4,50E+1
1
I
II
III
IV
10 рад
5
0
0 30 мин
0 3 мин
0 15 мин 
т
емп ературе (кривая 1) и п ри ее о тсут
                                      ствии (кривая 2) п о ло ж ит
                                                                 ельно го заря дао тп о лно й п о г
                                                                                                  ло щ енно й до зы
(участок I). Н а участ
                     ке II п о казано п о следую щ ее дей ствие т
                                                                емп ературы на о блученные о бразц ы . Следует
о тметить, что п ри о дно временно м во здей ствии о блучения и т
                                                                емп ературы значение нако п ленно г
                                                                                                  о заря да
вы ше, чем п ри п о следо вательно м дей ствии о блучения и терм ическо г
                                                                        о о тж иг
                                                                                а, п ри о динако вы х
п о гло щ енны х до зы .



               4,50E+1
               1
               4,00E+1
               1
                                     I                                 II                     III             IV
               3,50E+1
               1
               3,00E+1
               1
               2,50E+1
               1
               2,00E+1
               1
               1,50E+1
               1
               1,00E+1
               1
               5,00E+1
               0
                                                         0                    30 мин                   0    15 мин
               0,00E+0
               0           0                        10 5рад                             0           3 мин


   Рис.7. Зависимо стьп ло тно стиэффективно г
                                             о заря да о тдо зы радиац ии (участ
                                                                               о к I), о твремени
   т
   ермическо г
             о о тжиг
                    а(участок II), о твремени У Ф о блучения квант
                                                                 ами ближ нег
                                                                            о сп ект
                                                                                   ра(участок III) и
   п о следую щ ег
                 о т
                   ермическо г
                             о от
                                жиг
                                  а(участок IV).

   Т емп ературао тжиговTо тж = 700 К .

   К о нцентрац ия мелких ло вушечны х уро вней Nt1 = 5⋅1018 см -3,

   ко нцентрац ия г
                  лубо ких ло вушечны х уро вней Nt2 = 5⋅1018 см -3,

   энерг
       ия У Ф -квант
                   о в< 6 эВ



        Релаксац ия радиацио нно -индуциро ванно го заря да в п о дзатво рно м
диэлектрике п о д во здей ствием У Ф - кванто в ближ нег    о сп ектра. Н а рис.7
п о казана зависимо сть значения радиац ио нно -индуц иро ванно г     о заря да о т
пог  ло щ енно й до зы (участо к I) и о т времени У Ф о блучения (участо кIII).
Сниж ение до нуля захваченно г     о п о ло ж ительно заря да п о д дей ствием У Ф
о блучения свидетельствует о п о лно м во сстано влении исхо дны х значений
ко нцентраций ло вушечны х уро вней в диэлектрике. Т ермо стабильно сть
о ставшей ся     п о сле У Ф -о брабо тки, части         радиацио нно г  о   заря да

Страницы