Моделирование радиационных эффектов в структурах металл-диэлектрик-полупроводник. Иванков Ю.В - 29 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

0,00E+00
2,00E+10
4,00E+10
6,00E+10
8,00E+10
1,00E+11
1,20E+11
1,40E+11
1,60E+11
1,80E+11
10 рад
5
0
0 30 мин
Рис.4 Зависимость плотности эффективного заряда от дозы радиации
( участок I) и от времени термического отжига (участок II) для различных
концентраций ловушечных уровней в диэлектрике МДП-структуры .
Концентрация мелких ловушечных уровней N
t1
= 5⋅10
18
см
-3
,
концентрация
глубоких ловушечных уровней N
t2
= 10
18
; 3⋅10
18
; 5⋅10
18
; 7⋅10
18
; 10
19
см
-3
для
кривых 1,2,3,4,5 соответственно . Температура отжига T
отж
= 700 К.
Рис.5 Зависимость величины радиационно - индуцированного заряда в
диэлектрике МДП-структуры при повторении цикла облучение(I)-отжиг(II).
Цикл содержит облучение дозой D = 10
5
рад с энергией квантов 20 кэВ и
последующий термический отжиг при температуре 700 К в течение 30 мин .
0,00E+00
5,00E+10
1,00E+11
1,50E+11
2,00E+11
2,50E+11
3,00E+11
3,50E+11
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
II
II
II
II
II
II
II
II
II
II
П л отн ость эффективн ого заряда Q
0t
, см
-
3
                                                           1,80E+11
                                                           1,60E+11
                                                           1,40E+11
                                                           1,20E+11
                                                           1,00E+11
                                                           8,00E+10
                                                           6,00E+10
                                                           4,00E+10
                                                           2,00E+10
                                                                                       0              30 мин
                                                           0,00E+00
                                                                      0             105 р а д




Рис.4 Зависимо сть п ло тно сти эффективно го заря да о т до зы радиации
(участо к I) и о твремени термическо г       о о тж иг
                                                     а (участо к II) для различны х
ко нцентраций ло вушечны х уро вней вдиэлектрикеМ Д П -структуры .
К о нцентрация мелких ло вушечны х уро вней Nt1 = 5⋅1018 см -3 , ко нцентрация
глубо ких ло вушечны х уро вней Nt2 = 1018; 3⋅1018; 5⋅1018; 7⋅1018; 1019 см -3 для
кривы х 1,2,3,4,5 со о тветственно . Т ем п ературао тж игаTо тж = 700 К .


                                                3,50E+11
                              аряда Q0t, см-3




                                                             I II I II I II I II I II I II I II I II I II I II
                                                3,00E+11


                                                2,50E+11
   П л отн ость эффективн ого з




                                                2,00E+11


                                                1,50E+11


                                                1,00E+11


                                                5,00E+10


                                                0,00E+00




Рис.5 Зависимо сть величины радиац ио нно -индуц иро ванно г      о заря да в
диэлектрике М Д П -структуры п ри п о вто рении ц иклао блучение(I)-о тж иг
                                                                          (II).
                                            5
Ц икл со держ ито блучение до зо й D = 10 рад с энерг    ией кванто в 20 кэВ и
п о следую щ ий термический о тж игп ри тем п ературе 700 К втечение 30 м ин.

Страницы