Моделирование радиационных эффектов в структурах металл-диэлектрик-полупроводник. Иванков Ю.В - 27 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

отожжены термическим воздействием вплоть до максимальных значений
неразрушающих структуру температур .
Сечения захвата электронов и сечения захвата дырок для отжигаемого и неотжигаемого уровней
предполагаются одинаково зависящими от напряженности электрического поля и не зависящими от энергии
ловушечного уровня .
Рис.2 Зонная диаграмма диэлектрика МДП-структуры . Горизонтальными стрелками показано движение
фронтов туннелирования , вертикальной – фронта термоэмиссии .
E
f
– уровень Ферми,
E
v
– потолок валентной зоны ,
E
c
– дно зоны проводимости .
- захваченная дырка
- разряженный центр
Релаксация накопленного дырочного заряда в диэлектрике обусловлена процессами туннелирования
электронов из кремниевой подложки, а также за счет термоэмиссии захваченных дырок в валентную зону.
Одновременное действие механизмов туннелирования и термоэмиссии иллюстрируется зонной диаграммой
диэлектрика МДП-структуры на рис.2 на котором показано движение в диэлектрике туннельного и
термоэмиссионного фронтов
7 нм
93 нм
0.9 эВ
E
с
E
v
E
f
о то ж ж ены термическим во здей ствием вп ло ть до максимальны х значений
неразрушаю щ их структуру тем п ератур.
   Сечения захват
                а электро но в и сечения захват
                                              а ды ро к для о тжиг
                                                                 аемо г
                                                                      о и нео т
                                                                              жиг
                                                                                аемо го уро вней
п редп о лаг
           аю т
              ся о динако во завися щ ими о тнап ряженно стиэлектрическо г
                                                                         о п о ля и не завися щ ими о тэнергии
ло вушечно г
           о уро вня .




                    Eс
               Ef

                Ev


                                                                                            0.9 эВ

                                          7 нм
                                                                              93 нм




   Рис.2 Зо нная диаг
                    раммадиэлектрикаМ Д П -ст
                                            руктуры . Го ризо нт
                                                               альнымистрелками п о казано движ ение
   фро нтовтуннелиро вания , вертикально й – фро нт
                                                  атермо эмиссии.

   Ef – уро веньФ ерми,

   Ev – п о толо к валент
                        но й зо ны ,

   Ec – дно зо ны п ро во димо ст
                                и.

   - захваченная ды рка

   - разряж енны й цент
                      р



   Релаксация нако п ленно г
                           о ды ро чно г
                                       о заря да в диэлект
                                                         рике о бусло влена п ро ц ессами туннелиро вания
электро но визкремниево й п о дло жки, ат
                                        акже за счеттермо эмиссии захваченны х ды ро к в валентную зо ну.
О дно временно едей ствие механизмо втуннелиро вания и т
                                                       ермо эмиссии иллю стрирует
                                                                                ся зо нно й диаг
                                                                                               раммо й
диэлектрика М Д П -структуры на рис.2 на ко торо м п о казано движение в диэлектрике туннельно г
                                                                                               о и
т
ермо эмиссио нно г
                 о фро нто в

Страницы