ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
где
x − координата , t − время, V − напряжение на МДП-структуре, d
−
толщина диэлектрика.
Поток фотоэмиссионных электронов в диэлектрик определяется
интенсивностью УФ излучения , которая отражается в параметре B, энергией
УФ квантов
ν
h , высотой потенциального барьера Ф и расстоянием от
границы х:
()
2
Φ−= υ hBG
uv
, при х = 0 ,
uv
G
= 0, при х ≠ 0 ,
(26)
где d – толщина диэлектрика.
Полевые зависимости сечения захвата дырки на нейтральной ловушке
σ
p
E() и электрона на
кулоновском центре (захваченной дырке)
σ
n
E()
имеют вид:
σ
p
EE().(.,),
.
=⋅+⋅
−
−
−
1410101910
1440551
(40)
σ
n
EE().(,).
.
=⋅+
−
−
−
16101010
1241511
(41)
Уравнения непрерывности с выбранными граничными и начальными условиями представляют собой
краевую задачу, численное решение которой находится методом “прогонки” .
Полученные из решения уравнений непрерывности распределения концентрации свободных
носителей n и p, подставляются в уравнения кинетики дырочного захвата (30,31) для нахождения
пространственного распределения концентрации захваченных дырок P
t1
и P
t2
для отжигаемого и
неотжигаемого уровней соответственно . Найденные распределения свободных носителей и захваченного
заряда подставляются в уравнение Пуассона (29), решение которого позволяет определить распределение
напряженности электрического поля в диэлектрике E.
7. Анализ релаксации радиационно-индуцированного заряда в подзатворном диэлектрике под
воздействием термического отжига и
УФ - квантов ближнего спектра.
где x − ко о рдината, t − время , V − нап ря ж ение на М Д П -структуре, d − то лщ инадиэлектрика. П о то к фо то эмиссио нны х электро но в в диэлектрик о п ределя ется интенсивно стью У Ф излучения , ко то рая о траж ается вп араметре B, энерг ией У Ф кванто в hν , вы со то й п о тенц иально г о барьера Ф и рассто я нием о т границ ы х: Guv = B (hυ − Φ )2 , п ри х = 0 , (26) Guv = 0, п ри х ≠ 0 , г де d – т о лщ инадиэлектрика. П о левые зависимо сти сечения захвата дырки на ней т рально й ло вушке σ p ( E) и электро на на куло но вско м ц ент ре (захваченно й ды рке) σ n (E) имею твид: σ p ( E ) = 1.4 ⋅ 10−14 (1.0 + 19 , ⋅ 10 −4 E 0.55 ) −1, (40) σ n ( E ) = 1.6 ⋅ 10 −12 (10 , + 10 −4 E1.51 ) −1. (41) У равнения неп реры вно сти с выбранны ми граничными и начальными усло вия ми п редставля ю т со бо й краевую задачу, численно е решениеко т о ро й нахо дит ся методо м “п ро г о нки”. П о лученные из решения уравнений неп реры вно сти расп ределения ко нцентрации сво бо дны х но сителей n и p, п о дставляю тся в уравнения кинетики ды ро чно г о захват а (30,31) для нахо ж дения п ро странственно г о расп ределения ко нцентрации захваченны х дыро к Pt1 и Pt2 для о тжиг аемо г о и нео т жиг аемо г о уро вней со о твет ственно . Н ай денны е расп ределения сво бо дны х но сителей и захваченно г о заря да п о дставля ю т ся в уравнение П уассо на (29), решение ко торо го п о зво ля ето п ределить расп ределение нап ря женно ст и электрическо г о п о ля вдиэлектрике E. 7. А н ал изрел аксации радиацион н о-ин дуцирован н ого з аряда вподз атворн ом диэл ектрике под воз действием термич еского отж ига и У Ф - кван товбл иж н его спектра.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 23
- 24
- 25
- 26
- 27
- …
- следующая ›
- последняя »