ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
воздействия объясняется тем , что индуцированная этим воздействием надбарьерная фотоэмиссия
электронов из валентной зоны кремния в зону проводимости SiO
2
приводит к захвату эмитируемых
электронов на положительно заряженные PO
4
+
- центры , лишь уменьшая величину радиационно -
индуцированного заряда, не меняя его природу.
Расширение диапазона накопленного радиационно - индуцированного заряда может быть
реализовано при многократном повторении цикла облучение- отжиг за счет аддитивного накопления
термостабильного заряда в каждом цикле , либо при совмещении процесса облучения структур и
термического отжига .
ЛИТЕРАТУРА
во здей ствия о бъ я сня ется тем, что индуциро ванная эт
им во здей ствием надбарьерная фо тоэмиссия
элект
ро но визвалентно й зо ны кремния взо нуп ро во димо стиSiO2 п риво дитк захватуэмит
ируемы х
элект ельно заря женны еPO4+ - ц ент
ро но внап о ло жит ры , лишьуменьшая величинурадиац ио нно -
индуц иро ванно г
о заря да, не меня я ег
о п риро ду.
Расширение диап азо на нако п ленно г
о радиацио нно -индуциро ванно г
о заряда мо жет бы ть
реализо вано п ри мно г
о крат
но м п о вт
о рении цикла о блучение-о тжигза счет аддитивно го нако п ления
т
ермо ст
абильно г
о заря да в каждо м ц икле, либо п ри со вмещ ении п ро цесса о блучения структур и
т
ермическо г
о о тжига.
Л И Т Е РА Т У РА
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 31
- 32
- 33
- 34
- 35
- …
- следующая ›
- последняя »
