Моделирование радиационных эффектов в структурах металл-диэлектрик-полупроводник. Иванков Ю.В - 33 стр.

UptoLike

воздействия объясняется тем , что индуцированная этим воздействием надбарьерная фотоэмиссия
электронов из валентной зоны кремния в зону проводимости SiO
2
приводит к захвату эмитируемых
электронов на положительно заряженные PO
4
+
- центры , лишь уменьшая величину радиационно -
индуцированного заряда, не меняя его природу.
Расширение диапазона накопленного радиационно - индуцированного заряда может быть
реализовано при многократном повторении цикла облучение- отжиг за счет аддитивного накопления
термостабильного заряда в каждом цикле , либо при совмещении процесса облучения структур и
термического отжига .
ЛИТЕРАТУРА
  во здей ствия о бъ я сня ется тем, что индуциро ванная эт
                                                          им во здей ствием надбарьерная фо тоэмиссия
  элект
      ро но визвалентно й зо ны кремния взо нуп ро во димо стиSiO2 п риво дитк захватуэмит
                                                                                         ируемы х
  элект                 ельно заря женны еPO4+ - ц ент
      ро но внап о ло жит                            ры , лишьуменьшая величинурадиац ио нно -
  индуц иро ванно г
                  о заря да, не меня я ег
                                        о п риро ду.

       Расширение диап азо на нако п ленно г
                                           о           радиацио нно -индуциро ванно г
                                                                                    о   заряда мо жет бы ть
реализо вано п ри мно г
                      о крат
                           но м п о вт
                                     о рении цикла о блучение-о тжигза счет аддитивно го нако п ления
т
ермо ст
      абильно г
              о заря да в каждо м ц икле, либо п ри со вмещ ении п ро цесса о блучения структур и
т
ермическо г
          о о тжига.




                                            Л И Т Е РА Т У РА