ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
воздействия объясняется тем , что индуцированная этим воздействием надбарьерная фотоэмиссия
электронов из валентной зоны кремния в зону проводимости SiO
2
приводит к захвату эмитируемых
электронов на положительно заряженные PO
4
+
- центры , лишь уменьшая величину радиационно -
индуцированного заряда, не меняя его природу.
Расширение диапазона накопленного радиационно - индуцированного заряда может быть
реализовано при многократном повторении цикла облучение- отжиг за счет аддитивного накопления
термостабильного заряда в каждом цикле , либо при совмещении процесса облучения структур и
термического отжига .
ЛИТЕРАТУРА
во здей ствия о бъ я сня ется тем, что индуциро ванная эт им во здей ствием надбарьерная фо тоэмиссия элект ро но визвалентно й зо ны кремния взо нуп ро во димо стиSiO2 п риво дитк захватуэмит ируемы х элект ельно заря женны еPO4+ - ц ент ро но внап о ло жит ры , лишьуменьшая величинурадиац ио нно - индуц иро ванно г о заря да, не меня я ег о п риро ду. Расширение диап азо на нако п ленно г о радиацио нно -индуциро ванно г о заряда мо жет бы ть реализо вано п ри мно г о крат но м п о вт о рении цикла о блучение-о тжигза счет аддитивно го нако п ления т ермо ст абильно г о заря да в каждо м ц икле, либо п ри со вмещ ении п ро цесса о блучения структур и т ермическо г о о тжига. Л И Т Е РА Т У РА
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 31
- 32
- 33
- 34
- 35
- …
- следующая ›
- последняя »