Моделирование радиационных эффектов в структурах металл-диэлектрик-полупроводник. Иванков Ю.В - 34 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

Основная литература
1.Савельев, И .В . Курс общей физики : учеб пособие для студ . Втузов : в 5 кн./
И .В . Савельев.- М . : Астрель : АСТ , 2001. - Кн. 5 : Квантовая оптика.
Атомная физика. Физика твердого тела. Физика атомного ядра и
элементарных частиц . – 368 с.
2.Вавилов, В .С. Дефекты в кремнии и на его поверхности / В .С. Вавилов,
В .Ф . Киселев, Б.Н . Мукашев - М . : Наука, 1990. – 176 с.
3.Агаханян, Т .М . Радиационные эффекты в интегральных схемах
/ Т .М .Агаханян., Е .Р. Аствацатурьян, П .К. Скоробогатов - М . :
Энергоатомиздат, 1989. 196 с.
5.Першенков, В .С.Поверхностные радиационные эффекты в ИМС
/ В .С.Першенков, В .Д . Попов, А .В . Шальнов - М . : Энергоатомиздат, 1988.
148 с.
Дополнительная литература
6.Mc Whorter, P.J. Modeling the anneal of radiation- induced trapped holes in a
varying thermal environment / P.J. Mc Whorter, S.L. Miller, W.M. Miller //
IEEE Trans. Nuclear Physics, 1990, Vol. 37, N 6, P. 1682-1689.
7.Lelis, A.J. The nature of the trapped hole annealing process / A.J. Lelis, T.R.
Oldham, H.E. Boesch, F.B. Mc Lean // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1989, Vol. 36, N
6, P. 1808-1818.
8.Ma, T.P. Ionizing Radiation Effects In MOS Devices and Circuits / T.P. Ma,
P.V. Dressendorfer. – NY : Wiley-Interscience Publ., 1989. P.154-173. 
                                О сно вная литература

1.Савельев, И .В . К урс о бщ ей физики : учеб п о со биедля студ. В тузо в: в5 кн./
   И .В . Савельев.- М . : А стрель : А СТ , 2001. - К н. 5 : К ванто вая о п тика.
   А то мная физика. Ф изика твердо г            о тела. Ф изика ато мно г      о я дра и
   элементарны х частиц. – 368 с.
2.В авило в, В .С. Д ефекты в кремнии и на ег           о п о верхно сти / В .С. В авило в,
   В .Ф . К иселев, Б.Н . М укашев - М . : Н аука, 1990. – 176 с.
3.А г аханя н, Т .М . Радиац ио нны е эффекты винтегральны х схемах
  / Т .М .А гаханя н., Е .Р. А ствацатурья н, П .К . Ско ро бо г ато в- М . :
  Э нерг  о ато миздат, 1989. 196 с.
5.П ершенко в, В .С.П о верхно стны е радиацио нны еэффекты вИ М С
  / В .С.П ершенко в, В .Д . П о п о в, А .В . Ш ально в- М . : Э нерг о ато миздат, 1988.
  148 с.

                            Д о п о лнительная литература

6.Mc Whorter, P.J. Modeling the anneal of radiation- induced trapped holes in a
   varying thermal environment / P.J. Mc Whorter, S.L. Miller, W.M. Miller //
   IEEE Trans. Nuclear Physics, 1990, Vol. 37, N 6, P. 1682-1689.
7.Lelis, A.J. The nature of the trapped hole annealing process / A.J. Lelis, T.R.
   Oldham, H.E. Boesch, F.B. Mc Lean // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1989, Vol. 36, N
   6, P. 1808-1818.
8.Ma, T.P. Ionizing Radiation Effects In MOS Devices and Circuits / T.P. Ma,
   P.V. Dressendorfer. – NY : Wiley-Interscience Publ., 1989. P.154-173.

Страницы