Физико-химические основы РЭС - 24 стр.

UptoLike

на приборе "Фотон" нажать кнопку "ВКЛ" и, регулируя ток накала резистором R13 на ИФС-1, ус-
тановить на верхней шкале "Фотона" произвольное число делений в диапазоне от 1,4 до 0,5 дел. Получен-
ное число делений перевести в единицы освещённости, пользуясь графиком (рис. 8.2). Закрыть шторку
камеры ИФС-1;
для первого значения освещённости, не меняя накала лампы 13, снять вольтамперные характери-
стики
I
ф
=
f
(
U
),
где
U
напряжение на ФР изменяется ручками B2 и R7 ("грубо", "плавно") и отсчитывается по прибору
"K
2
" на выносной панели.
Рис. 8.2. Градуировочный график для определения освещённости
на приборе "Фотон" (предел "10")
Значение фототока
I
ф
отсчитывается по прибору "К" при положении переключателя В3 – "2 мА".
Для построения графика необходимо снять 10 значений.
Резистором R13 изменить значение освещённости
Е
и вновь снять вольтамперную характеристику.
Все данные свести в табл. 8.1.
По данным табл. 8.1 построить графики
I
ф
=
f
(
U
) для трёх значений освещённости в одних коорди-
натах.
8.1. Измерение вольт-амперных характеристик фоторезистора
Е
1
= , лк
E
2
= , лк
E
3
= , лк
U
, В
I
ф
, мА
I
ф
, мА
I
ф
, мА
3. Под руководством преподавателя снять на шлейфовом осциллографе кривые нарастания и спада
фототока (см. инструкцию к шлейфовому осциллографу) на ультрафиолетовую фотобумагу УФС-1.
4. Рассчитать время жизни избыточных носителей, пользуясь следующей методикой.
Кривая спада фототока фоторезистора после выключения источника света описывается зависимо-
стью
I
ф
=
I
0
exp(–
t
/ τ), (8.1)
где
I
0
установившийся фототок в условиях постоянной освещённости фоторезистора;
t
время, с; τ
время жизни носителей, с. Логарифмируя зависимость (8.1), получим
ln
I
ф
= ln
I
0
t
/ τ,
(8.2)
т.е. линейную зависимость ln
I
ф
от времени с угловым коэффициентом, равным (–1 /τ). Отсюда легко
определить время жизни τ.
Е
, лк
500
400
300
200
100
0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4