Физико-химические основы РЭС - 25 стр.

UptoLike

5. Наложить на кривую фототока (рис. 8.3) координатные точки таким образом, чтобы горизонталь-
ная ось
t
совместилась с концом кривой
I
ф
=
f
(
t
),
начало оси совпало с началом спада фототока.
Проградуировать ось
t
в секундах, учитывая, что скорость развёртки фотобумаги в осциллографе
125 мм/с.
6. Определить значения фототока по кривой спада через равные
промежутки времени, взять их логарифмы и полученные данные запи-
сать в виде табл. 9.2.
7. Построить зависимость ln
I
ф
= =
f
(
t
) и методом наименьших квад-
ратов определить время жизни неравновесных носителей.
8.2. Измерение затухания фототока
t
, с
I
ф
, мА ln
I
ф
Содержание отчёта
1.
Название и цель работы.
2.
Тип приборов.
3.
Методика измерения вольт-амперных характеристик и времени жизни неравновесных носителей.
4.
Таблицы экспериментальных данных, графики вольтамперных характеристик и кривая спада фо-
тотока.
5.
Расчёт времени жизни неравновесных носителей.
6.
Результаты эксперимента и сравнения их с литературными данными.
Контрольные вопросы
1.
Поглощение света полупроводниками.
2.
Внутренний фотоэффект. Время жизни носителей заряда.
3.
Применение фотоэффекта.
4.
Излучательная рекомбинация, светодиоды.
5.
Стимулирующее излучение. Квантовый генератор.
Литература: [8, с. 318 – 344]; [9, с. 87 – 97]; [10, с. 111 – 118].
Лабораторная работа 9
ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ ТОНКИХ ПЛЁНОК
Цель работы
: изучение зависимости удельного электросопротивления тонких металлических плё-
нок от их толщины. Освоение методики измерения толщины тонких плёнок методом интерференции.
Приборы и принадлежности
: микроинтерферометр МИИ-4, омметр Щ 3009, образцы тонкоплёноч-
ных резисторов.
Методические указания
Тонкие металлические плёнки широко применяются в радио и в радиотехнике в качестве проводни-
ков, контактных площадок, резистивных, магнитных и других элементов микроэлектронных приборов.
Их свойства могут заметно отличаться от физико-химических параметров сплавов, из которых они сде-
ланы.
I
A
B
Б
τ
Рис. 8.3. Кривая спада фототока