Физико-химические основы РЭС - 30 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

Величину поверхностного заряда можно определить по формуле
∫
∞
=
0
IdtQ
. Аппроксимируя импульс
тока зарядки прямоугольной формой, можно записать
Q
=
I
m
t
3
, (10.1)
где
I
m
– ток зарядки;
t
3
= 0,5 с – время зарядки.
2. Включить прибор РЕ-1 тумблером "Сеть" на передней панели прибора.
3. Включить источник ЛИПС1-30 и установить напряжение питания моста 10 вольт.
4. Вращая ручку "Баланс" на верхней панели прибора РЕ-1, сбалансировать мост (добиться нулево-
го тока на микроамперметре).
5. Вращая шлиц "Peг. высокого напряжения", установить начальное значение высокого напряжения
на вольтметре прибора.
6. Подать высокое напряжение на МДП-структуру нажатием кнопки "Зарядка" на верхней панели
прибора (на коробке из оргстекла). Одновременно зарегистрировать максимальное отклонение на мик-
роамперметре. Результаты измерения занести в табл. 12.1.
10.1. Результаты измерений поверхностного заряда
Ток зарядки, мкА
U
,
В
I
1
I
2
I
3
I
4
I
5
I
S
X
Q
, Кл
C
, Ф
7. Подождать, когда напряжение на вольтметре восстановится, и повторить измерения. Произвести
не менее 5 измерений при одном значении высокого напряжения. Результаты занести в табл. 10.1.
8. Изменить значение высокого напряжения и повторить измерения тока заряда для 6–7 значений
высокого напряжения
U.
9. Рассчитать среднее значение тока и заряд
Q
по формуле (10.1).
10. Рассчитать значение ёмкости МДП-структуры по формуле
C
=
Q
/
U.
11. Построить график вольт-фарадной зависимости
С
=
f
(
U
).
12. Зная, что на электрод подавался положительный потенциал, определить тип полупроводника.
Содержание отчёта
1.
Схема МДП-структуры.
2.
Таблица с измерениями.
3.
Вольт-фарадная характеристика МДП-структуры.
4.
Тип полупроводника.
Контрольные вопросы
1.
В чём заключается эффект поля.
2.
Что такое поверхностные состояния?
3.
Объяснить принцип работы МДП-структуры.
4.
Нарисовать зонную структуру
n
- или
p
-полупроводника, на поверхности которого имеется элек-
трический заряд.
Литература: [8, с. 250 – 254].

Страницы