Физико-химические основы РЭС - 28 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

9.1. Измерение электропроводности тонких плёнок
№
l
, 10
–3
м
B
, 10
–3
м
δ, 10
–6
м
R
, Ом
ρ, Ом ⋅
м
lg ρ
2. Рассчитать удельное сопротивление металла тонкой плёнки
l
b
R
δ
=ρ
и lg ρ.
Содержание отчёта
1.
Название и цель работы.
2.
Схема тонкоплёночного резистора.
3.
Оптическая схема МИИ-4 и описание методики измерения толщины тонких плёнок.
4.
Таблица экспериментальных данных и кривая зависимости lg p =
f
(δ).
Контрольные вопросы
1.
Стадии роста тонких плёнок.
2.
Методы получения тонких плёнок.
3.
Электропроводность тонких плёнок.
4.
Методика измерения толщины плёнок методом интерференции.
5.
Сопротивление квадрата плёнки.
Литература: [10, с. 480 – 521].
Лабораторная работа 10
ЭФФЕКТ ПОЛЯ. МДП-СТРУКТУРЫ
Цель работы
: экспериментальное изучение "эффекта поля" на примере МДП-структуры.
Приборы и принадлежности
: источник высокого напряжения РЕ-1, микроамперметр, источник тока
ЛИПС 1-30, полупроводниковая пластина.
Методические указания
Изменение межатомного потенциала вблизи поверхности твёрдого тела приводит к появлению в за-
прещённой зоне полупроводника разрешённых дискретных уровней энергий для электронов, расположен-
ных в непосредственной близости от поверхности кристалла. Такие уровни получили название поверхност-
ных уровней или поверхностных состояний. Заполнение этих уровней приводит к образованию вблизи по-
верхности объёмного заряда, существенно влияющего на многие свойства полупроводника: электропровод-
ность, работу выхода, фото-ЭДС и др., а также на параметры приборов.
Заряжение поверхности полупроводника вызывает возникновение разности потенциалов между по-
верхностью и объёмом полупроводника и, следовательно, искривление энергетических зон.
Если на поверхности располагается отрицательный заряд, энергетические зоны изгибаются вверх,
так как при перемещении электрона из объёма на поверхность его потенциальная энергия увеличивает-
ся. При положительном заряжении поверхности зоны изгибаются вниз.
На рис. 10.1 показана зонная структура
n
-полупроводника, у которого поверхность заряжена
отрицательно (
E
i
– середина запрещённой зоны полупроводника). В
n-
полупроводнике расстояние (по
оси энергии) от дна зоны проводимости
Е
c
до уровня Ферми
Е
F
меньше, чем от уровня Ферми до
потолка валентной зоны
E
v
.
Поэтому равновесная концентрация электронов
n
больше концентрации ды-
рок
р.
В поверхностном слое объёмного заряда происходит искривление зон и расстояние от дна зоны
проводимости до уровня Ферми увеличивается.

Страницы