Проектирование СВЧ устройств. Иванов Б.П. - 54 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

54
Подставляя значение E
ϕ
из (3) в (1), можно получить [3]
()
⎭
⎬
⎫
⎩
⎨
⎧
⎥
⎦
⎤
⎢
⎣
⎡
π
+
π
π
−
−ε
=
−
dsindhcos
d
f
ff
lll
2
1
2
1
0
0
. (4)
В случае образца, расположенного на дне резонатора, то есть
расположенного вблизи узла Е
φ
, смещение частоты при размещении образца
весьма мало.
В случае образца, расположенного в пучности Е
φ
(на расстоянии h=0.5l),
воздействие образца более значительное и приводит к большему изменению
частоты.
В первом случае в выражении (4) следует принять h=0, а во втором –
h=l/2.
При измерении тонких образцов предпочтителен способ размещения
образца в резонаторе при h=l/2l. Выражение (4) принимает вид
⎥
⎦
⎤
⎢
⎣
⎡
π
π
+
−ε
=
−
ll
d
sin
d
f
ff
2
2
1
2
1
0
0
. (5)
Для размещения образца в пучности Е
φ
обычно изготавливается кольцо
из полистирола, показанное на рис. 2.
Рис. 2. Кольцо для размещения образца
В соответствии с ГОСТ 8.015–72 размер .мм..h
в
220250
−
λ
=
Для рекомендуемой для измерений частоты размер f
0
=9,365ГГц h=12,8
мм.
Для определения значений ε с достаточной точностью требуется
изготавливать и образцы с достаточной точностью. Образец должен иметь
форму диска. Неперпендикулярность поверхности А относительно поверхности
Б должна быть не более 0,1мм (рис.3).
Рис. 3. Образец для измерений

Страницы