ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
63
2
0
2
1
⎟
⎠
⎞
⎜
⎝
⎛
ϕΔ
π
λ
+≈ε
изм
d
. (26)
Вычисленное из выражения (26) значение ε может служить первым
приближением для определения больших значений ε численными методами.
При применении схемы, показанной на рис. 7,
x
изм
Δ
λ
π
=ϕΔ
0
4
,
где Δх - смещение минимума в сторону передающей антенны.
Получаем
2
0
2
1
⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
λ
Δλ
+≈ε
d
x
в
, (28)
где
2
0
0
в
a2
1
⎟
⎠
⎞
⎜
⎝
⎛
−
=
λ
λ
λ
.
Схему рефлектометра можно несколько изменить, поставив за диэлектри-
ческим листом металлический экран с коэффициентом отражения, равным -1,
как показано на рис. 9. [1 с. 91-93 ].
Рис. 9. Схема рефлектометра с идеально отражающим экраном
В случае L=0 коэффициент отражения от плоскости раздела среды 1 со
средой 2
dj
dj
кз
d
d
e
e
β−
β−
+ε
−ε
−
−
+ε
−ε
=Γ
2
2
1
1
1
1
1
&
. (29)
В случае L=
4
3
λ
получим
Среда1 Среда2 Среда3
Е
пад
Метал.
экран
Р
2
Р
1
L
d
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 61
- 62
- 63
- 64
- 65
- …
- следующая ›
- последняя »
