Изучение характеристик и моделей полупроводниковых диодов. - 4 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

МАИ | Москва

Рубрика: 

4
4
тическим режимом. В момент времени t
2
напряжение на генераторе падает
до нуля и начинается переходной процесс снижения напряжения на диоде
VD1. Диод VD2 практически мгновенно запирается, отключая генератор
импульсов от диода VD1. Ток через диод VD1 скачком уменьшается на ве-
личину I
пр
= U
ги
/ R1, а напряжение на диоде U
VD1
скачком уменьшается на
величину ΔU = r
Б
·U
ги
/R
1
. Следовательно, сопротивление базы может быть
определено не только из статических характеристик, но и из импульсных
измерений при известных U
ги
и R
1
. При t
2
<t<t
3
напряжение на диоде оста-
ется прямым и медленно уменьшается за счет рассасывания накопленных в
базе неосновных носителей заряда. Эффективное время жизни носителей
заряда в базе диода определяется по формуле
U
t
Tэф
δ
δ
ϕτ
=
,
где δU и δt находятся в соответствии с рисунком 4.
При t>t
3
диффузная емкость уменьшается, основной становится
барьерная емкость, и процесс разряда резко увеличивается.
Измерение барьерной емкости происходит на специальной установ-
ке.
ПОРЯДОК ВЫПОЛНЕНИЯ РАБОТЫ
Получите исследуемый диод, укажите в отчете его тип.
ОПРЕДЕЛЕНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ МОДЕЛИ
ИДЕАЛИЗИРОВАННАЯ МОДЕЛЬ
1. Определить дифференциальное сопротивление диода при прямом
токе I
1
=1 мА.
Ручками управления "HOR. VOLTS/DIV" и "VERT.
CURRENT/DIV" на характериографе установить масштабы: 0,1 В/дел, 0,2 
                                                                             4

тическим режимом. В момент времени t2 напряжение на генераторе падает
до нуля и начинается переходной процесс снижения напряжения на диоде
VD1. Диод VD2 практически мгновенно запирается, отключая генератор
импульсов от диода VD1. Ток через диод VD1 скачком уменьшается на ве-
личину Iпр = Uги/ R1, а напряжение на диоде UVD1 скачком уменьшается на
величину ΔU = rБ·Uги/R1. Следовательно, сопротивление базы может быть
определено не только из статических характеристик, но и из импульсных
измерений при известных Uги и R1. При t2t3 диффузная емкость уменьшается, основной становится
барьерная емкость, и процесс разряда резко увеличивается.
      Измерение барьерной емкости происходит на специальной установ-
ке.


                  ПОРЯДОК ВЫПОЛНЕНИЯ РАБОТЫ


      Получите исследуемый диод, укажите в отчете его тип.


      ОПРЕДЕЛЕНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ МОДЕЛИ


                    ИДЕАЛИЗИРОВАННАЯ МОДЕЛЬ
      1. Определить дифференциальное сопротивление диода при прямом
токе I1=1 мА.
      Ручками     управления     "HOR.                 VOLTS/DIV"   и   "VERT.
CURRENT/DIV" на характериографе установить масштабы: 0,1 В/дел, 0,2

                                         4

Страницы