Изучение характеристик и моделей полупроводниковых диодов. - 6 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

МАИ | Москва

Рубрика: 

6
6
2. Измерить прямое напряжение U
пр
при прямом токе I
пр
= 10 мкА
(для этого рекомендуется установить масштаб: 0,1 В/дел., 2 мкА/дел).
Произвести отсчет напряжения U
пр
по центральной горизонтальной линии
(нулевая точка ВАХ должна быть в левом нижнем углу координатной сет-
ки). Рассчитать параметр модели I
0
(тепловой ток) по формуле
()
Tпр
пр
U
I
I
ϕ
exp
0
=
.
3. Определить по методике, аналогичной описанной в п.1, дифференци-
альное сопротивление диода r
диф2
при прямом токе I
2
=10 мА. Для этого ус-
тановите масштаб: 0,1 В/дел., 2 мА/дел. Найти сопротивление базы r
б2
=
r
диф2
–(
ϕ
Т
/ I
2
), где
ϕ
Т
=0,026 В - тепловой потенциал, и сравните его со зна-
чением r
б1
, полученным в п.1. Большое их отличие говорит о влиянии в
данном диоде эффекта модуляции сопротивления базы.
МОДИФИЦИРОВАННАЯ МОДЕЛЬ
4.Найти параметры m и r
б0
модифицированной модели по формулам
m=
(
)
⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
−
−
2
1
211
1
I
I
rrI
T
дифдиф
ϕ
; r
б0
=r
диф2
– (m
2
I
Т
ϕ
).
5. Рассчитать параметр модифицированной модели I
1
0
по формуле
()
[]
TБ
mIrU
I
I
ϕ
101
1
0
exp −
=
′
.
Сравните I
1
0
с I
0,
определенным в п.2.
6. Зарисовать на одном графике экспериментальную ВАХ и рассчи-
танные вольтамперные характеристики I=f(U) идеализированной и моди-
фицированной модели диода.
При этом необходимо отметить, что напряжение на переходе
u = U - I·r
Б
, где U- напряжение на диоде; I - ток через диод. 
                                                                                     6

      2. Измерить прямое напряжение Uпр при прямом токе Iпр= 10 мкА
(для этого рекомендуется установить масштаб: 0,1 В/дел., 2 мкА/дел).
Произвести отсчет напряжения Uпр по центральной горизонтальной линии
(нулевая точка ВАХ должна быть в левом нижнем углу координатной сет-
ки). Рассчитать параметр модели I0 (тепловой ток) по формуле

                                           I0 =
                                                       I пр       .
                                                  exp(U пр ϕT )


  3. Определить по методике, аналогичной описанной в п.1, дифференци-
альное сопротивление диода rдиф2 при прямом токе I2 =10 мА. Для этого ус-
тановите масштаб: 0,1 В/дел., 2 мА/дел. Найти сопротивление базы rб2=
rдиф2 –(ϕТ/ I2), где ϕТ =0,026 В - тепловой потенциал, и сравните его со зна-
чением rб1, полученным в п.1. Большое их отличие говорит о влиянии в
данном диоде эффекта модуляции сопротивления базы.


                    МОДИФИЦИРОВАННАЯ МОДЕЛЬ
      4.Найти параметры m и rб0 модифицированной модели по формулам

                          I 1 (rдиф1 − rдиф 2 )                            ϕТ
                     m=                            ; rб0=rдиф2 – (m             ).
                                 ⎛   I ⎞                                   I2
                            ϕ T ⎜⎜1 − 1 ⎟⎟
                                 ⎝ I2 ⎠



      5. Рассчитать параметр модифицированной модели I1 0 по формуле

                                  I 0′ =
                                                      I1               .
                                           exp[(U 1 − rБ 0 I1 ) mϕ T ]


      Сравните I10 с I0, определенным в п.2.


      6. Зарисовать на одном графике экспериментальную ВАХ и рассчи-
танные вольтамперные характеристики I=f(U) идеализированной и моди-
фицированной модели диода.
      При этом необходимо отметить, что напряжение на переходе
u = U - I·rБ, где U- напряжение на диоде; I - ток через диод.

                                                       6

Страницы