Изучение характеристик и моделей полупроводниковых диодов. - 5 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

МАИ | Москва

Рубрика: 

5
мА/дел. С помощью ручек управления горизонтальным и вертикальным
отклонением луча установить нулевую яркостную точку ВАХ, соответст-
вующую нулевому напряжению на диоде, в левый нижний угол коорди-
натной сетки экрана.
Зарисовать на миллиметровке ВАХ в диапазоне токов от 0 до 2 мА.
Центральная горизонтальная шкала экрана с мелкими делениями соответ-
ствует току I
1
=1 мА. По ней произведите отсчет напряжения U
1
. Ручкой
управления вертикальным отклонением луча сместить изображение вверх
на одно деление (0,2 мА ), зарисовать на той же миллиметровке смещен-
ную ВАХ, и по центральной горизонтальной линии измерить изменение
напряжения
Δ
U.
Рисунок 3.
Если
Δ
U мало (менее 0,02 В), то возможна большая ошибка в расче-
тах r
диф1
. В этом случае рекомендуется увеличить
Δ
I, смещая изображение
вверх не на одно, а на два деления (в этом случае
Δ
I=0,4 мА). Тогда
r
диф1
=
Δ
U/
Δ
I.
Найти сопротивление базы r
б1
= r
диф1
–(
ϕ
Т
/ I
1
), где
ϕ
Т
=0,026 В - теп-
ловой потенциал при Т=300 К. Полученное значение r
диф1
= r
б1
приблизи-
тельно равно r
б
идеализированной модели диода. 
мА/дел. С помощью ручек управления горизонтальным и вертикальным
отклонением луча установить нулевую яркостную точку ВАХ, соответст-
вующую нулевому напряжению на диоде, в левый нижний угол коорди-
натной сетки экрана.
     Зарисовать на миллиметровке ВАХ в диапазоне токов от 0 до 2 мА.
Центральная горизонтальная шкала экрана с мелкими делениями соответ-
ствует току I1=1 мА. По ней произведите отсчет напряжения U1. Ручкой
управления вертикальным отклонением луча сместить изображение вверх
на одно деление (0,2 мА ), зарисовать на той же миллиметровке смещен-
ную ВАХ, и по центральной горизонтальной линии измерить изменение
напряжения ΔU.




                                Рисунок 3.


     Если ΔU мало (менее 0,02 В), то возможна большая ошибка в расче-
тах rдиф1 . В этом случае рекомендуется увеличить ΔI, смещая изображение
вверх не на одно, а на два деления (в этом случае ΔI=0,4 мА). Тогда

                               rдиф1=ΔU/ΔI.

     Найти сопротивление базы rб1= rдиф1 –(ϕТ/ I1), где ϕТ =0,026 В - теп-
ловой потенциал при Т=300 К. Полученное значение rдиф1= rб1 приблизи-
тельно равно rб идеализированной модели диода.




                                      5

Страницы