Составители:
Рубрика:
Низкоразмерные 3D, 2D, 1D, 0D системы
Благодаря развитию современных методов роста, таких как молекулярно-пучковая
эпитаксия, металлоорганическая газофазная эпитаксия и др., в настоящее время стало
возможным выращивание гетероструктур, состоящих их разных типов кристаллов. Одной
из разновидностью таких структур являются сверхрешетки, в которых два типа
кристаллов имеют периодическое расположение вдоль одного из направлений (ось роста).
Другим типом двумерной наноструктуры является квантовая яма, представляющая собой
тонкий слой одного полупроводника в достаточно объемном массиве другого
полупроводника. Были успешно изготовлены и изучались структуры с размерностью
единица (одномерные структуры), которые называются квантовыми проволоками.
Подобные структуры изображены на рис.1, рис.2 и рис.3. Цель настоящей главы состоит в
изучении колебательных свойств таких двумерных, одномерных и нульмерных структур
(т.н. квантовых точек).
Рис. 1. Электронно-микроскопическое изображение сверхрешетки полупроводниковых кристаллов AlAs и
GaAs, состоящих из последовательного расположения 10 слоев AlAs и 10 слоев GaAs. Справа помещена
фотография сверхрешетки GaSb/AlSb.
10 nm
6 nm
10 nm
AlAs
←InAs
← AlAs
InAs
Ge
10 nm
6 nm
10 nm
AlAs
←InAs
← AlAs
InAs
10 nm
6 nm
10 nm
6 nm
10 nm10 nm10 nm
AlAs
←InAs
← AlAs
InAs
Ge
Рис. 2. Электронно-микроскопическое изображение квантовых точек некоторых полупроводниковых
кристаллов.
