Составители:
Рубрика:
Принадлежности.
Полупроводниковый лазер с длиной волны 670 нм (красный) и мощностью излучения 1 мВт,
направляющая, набор рейтеров, объект - решетка для подробного исследования, две голографические
решетки, линза, экран для наблюдения с магнитами для крепления бумаги, карандаш, линейка.
Методика проведения.
На направляющей (рис.5) собирается схема опыта рис. 4. Первоначально изучается
дифракционная картина исследуемой решетки. Затем измеряется увеличенное линзой изображение этой
решетки (рис.7). Замеряются расстояния l, l
1
, l
2
. По дифракционной картине при заданной геометрии
опыта оцениваются основные параметры исследуемой решетки d, b. Результаты сопоставляются с
оценками этих же параметров при исследовании изображения решетки на экране. Оценивается размер
падающего на решетку луча лазера d
0
и работающее число штрихов.
После этих исследований для двух голографических решеток и исследуемой решетки
измеряются положения дифракционных максимумов и строятся графики основного соотношения
(5.7) и
определяются периоды дифракционных решеток.
лазер
12
3
4
Рис. 4. Схема опыта для наблюдения дифракции на сетке. 1 – Лазер.
2 – Объект. 3 – Экран наблюдения. 4 – Направляющая скамья
Задание
1. Соберите схему согласно по рис. 4. Для этого лазер в оправе и на рейтере ставится в положение 7
направляющей (см. рис. 5), объект-шкала на рейтере, которая здесь используется как
дифракционная решетка, ставится в крайнее положение паза 6 (см. рис. 5), ближайшее к лазеру.
Экран наблюдения Э, помещается на рейтере в положение 1. На экране закрепляется лист бумаги
для зарисовки дифракционной картины. Карандашом зарисуйте пятна дифракционных
максимумов. Затем бумага сдвигается, и картинка отмечается снова. После нескольких
передвижений бумага снимается, по зарисованным картинкам находятся с помощью линейки
средние значения и ошибки положения максимумов, числа максимумов. Измерьте величину
расстояния между экраном и дифракционной решеткой. Используя формулы
(5.7), (5.9) и
полученные в опытах величины
b
X
и
m
X
(см. рис. 6), найдите параметры исследуемой
дифракционной решетки: d и b.
33
Принадлежности. Полупроводниковый лазер с длиной волны 670 нм (красный) и мощностью излучения 1 мВт, направляющая, набор рейтеров, объект - решетка для подробного исследования, две голографические решетки, линза, экран для наблюдения с магнитами для крепления бумаги, карандаш, линейка. Методика проведения. На направляющей (рис.5) собирается схема опыта рис. 4. Первоначально изучается дифракционная картина исследуемой решетки. Затем измеряется увеличенное линзой изображение этой решетки (рис.7). Замеряются расстояния l, l1, l2. По дифракционной картине при заданной геометрии опыта оцениваются основные параметры исследуемой решетки d, b. Результаты сопоставляются с оценками этих же параметров при исследовании изображения решетки на экране. Оценивается размер падающего на решетку луча лазера d0 и работающее число штрихов. После этих исследований для двух голографических решеток и исследуемой решетки измеряются положения дифракционных максимумов и строятся графики основного соотношения (5.7) и определяются периоды дифракционных решеток. 1 2 3 лазер 4 Рис. 4. Схема опыта для наблюдения дифракции на сетке. 1 – Лазер. 2 – Объект. 3 – Экран наблюдения. 4 – Направляющая скамья Задание 1. Соберите схему согласно по рис. 4. Для этого лазер в оправе и на рейтере ставится в положение 7 направляющей (см. рис. 5), объект-шкала на рейтере, которая здесь используется как дифракционная решетка, ставится в крайнее положение паза 6 (см. рис. 5), ближайшее к лазеру. Экран наблюдения Э, помещается на рейтере в положение 1. На экране закрепляется лист бумаги для зарисовки дифракционной картины. Карандашом зарисуйте пятна дифракционных максимумов. Затем бумага сдвигается, и картинка отмечается снова. После нескольких передвижений бумага снимается, по зарисованным картинкам находятся с помощью линейки средние значения и ошибки положения максимумов, числа максимумов. Измерьте величину расстояния между экраном и дифракционной решеткой. Используя формулы (5.7), (5.9) и полученные в опытах величины X b и X m (см. рис. 6), найдите параметры исследуемой дифракционной решетки: d и b. 33
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 31
- 32
- 33
- 34
- 35
- …
- следующая ›
- последняя »