Рубрика:
21
откуда
1
1
2
4ln21
−
⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
Δ
−=
E
к
T
Т
.
Полагая для арсенида галлия
ΔЕ = 1,43 эв, произведем вычисления:
K5291
6101431
381381012
273
1
1
19
23
2
,
,,
,,
Т
=
⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
⋅
⋅⋅
−=
−
−
−
.
Пример 2
Некоторый примесный полупроводник имеет решетку типа алмаза и об-
ладает только дырочной проводимостью. Определить концентрацию носителей
и их подвижность, если постоянная Холла равна 3,8
.
10
–4
м
3
/Кл. Удельная про-
водимость полупроводника 110 См/м.
Дано:
р – полупроводник
R
н
= 3,8
.
10
–4
м
3
/Кл
γ = 110 См/м
_________________
p – ? b
p
– ?
Решение. Концентрация
р дырок связана с постоянной Холла, которая для
полупроводников с решеткой типа алмаза, обладающих носителями только од-
ного знака, выражается формулой
R
н
=
ep
1
8
3π
,
где
е – элементарный заряд.
Отсюда
p =
н
eR
1
8
3π
. (1)
Выпишем все величины в единицах СИ:
е = 1,6
.
10
–19
Кл; R
н
= 3,8
.
10
–4
м
3
/Кл. Подставим числовые значения величин в формулу (1) и произведем вы-
числения
p =
419
10831061
1
8
1433
−−
⋅⋅⋅
⋅
,,
,
м
–3
= м
22
10191 ⋅,
–3
.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 19
- 20
- 21
- 22
- 23
- …
- следующая ›
- последняя »
