Рубрика:
19
Заменим р значением Δ
k
mE2
(такая замена не увеличит l). Перейдем к
равенству
l
min
=
к
mE2
2=
.
Подставив числовые значения и произведя вычисления, получим
l
min
=
10106110192
100512
1931
34
⋅
−−
−
⋅⋅⋅
⋅⋅
,,
,
м = 1,16
.
10
–10
м = 116 пм.
Физика твердого тела
Удельная электропроводность полупроводника
γ
=
e(nb
n
+ pb
p
), (1)
где е – заряд электрона, n и p – концентрация носителей заряда (подвижных
электронов и дырок), b
n
и b
p
– подвижности электронов и дырок.
В случае проводимости одного типа одним из слагаемых в выражении (1)
можно пренебречь. Для собственного полупроводника следует положить n = p.
Зависимость удельной электропроводности собственного полупроводни-
ка от температуры
⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
Δ
−γ=γ
Тk
E
2
exp
0
, (2)
где Е – ширина запрещенной зоны полупроводника, – константа, почти не
зависящая от температуры, k – постоянная Больцмана.
Δ
0
γ
При незначительном изменении удельного сопротивления вблизи ком-
натной температуры
ρ = 1/γ = ρ
0
(1 + βt), (3)
где ρ
0
– удельное сопротивление при 0
0
С, β – температурный коэффициент, t –
температура в
0
С.
Холловская разность потенциалов равна
U
н
= R
н
jBd, (4)
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 17
- 18
- 19
- 20
- 21
- …
- следующая ›
- последняя »
