Рубрика:
20
где В – индукция магнитного поля, d – толщина образца, j – плотность тока в
образце, R
н
– постоянная Холла. Для полупроводника с кристаллической ре-
шеткой типа алмаза (Ge, Si) постоянная Холла равна
()
2
22
8
3
pn
pn
H
pbnb
pbnb
e
R
+
−
π
=
. (5)
Постоянную Холла для собственного полупроводника можно получить из
этого выражения, считая n = p; для электронного – n >> p, для дырочного –
p >> n.
Примеры решения задач
Пример 1
До какой температуры нужно нагреть образец из арсенида галлия, нахо-
дящегося при температуре 0 градусов Цельсия, чтобы его проводимость воз-
росла в 4 раза?
Дано:
Т = 273 К
1
2
γ
γ
= 4
______________
Т – ?
Решение. Удельная проводимость полупроводников связана с температу-
рой соотношением:
kT
E
е
2
0
Δ
−
γ=γ ,
где
γ
– постоянная, −
Δ
E
ширина запрещенной зоны, k – постоянная Больцмана.
Таким образом,
4
11
2
exp
21
2
2
1
2
2
1
=
⎥
⎦
⎤
⎢
⎣
⎡
⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
−
Δ
==
γ
γ
Δ−
Δ−
TTk
E
e
е
kT
E
kT
E
.
Прологарифмируем выражение и получим:
4ln
11
2
21
=
⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
−
Δ
TTk
E
,
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 18
- 19
- 20
- 21
- 22
- …
- следующая ›
- последняя »
