ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
11
Контрольные вопросы
1. Каковы области применения пористых материалов ?
2. Что такое пористость материала, в чем она измеряется?
3. Какие стандартные методы измерения пористости материалов известны в
настоящее время?
4. Как измерить плотность материала? В чем состоит разница в обычной и
рентгеновской плотности вещества?
5. Способ определения пористости материала по рентгеновскому поглощению .
6. Почему измерение пористости пор -Si нужно проводить сразу после
получения пористого слоя ?
7. Какое влияние на результаты измерений оказывает наличие нарушенного
слоя на границе между пористым и монокристаллическим кремнием ?
Литература
[1] Кашкаров П . К . Необычные свойства пористого кремния / П.К. Кашкаров //
Соросовский образовательный журн.- 2001. - Т. 7, № 1.- С. 102-107.
[2] Горячев Д.Н. О механизме образования пористого кремния / Д.Н. Горячев,
Л .В. Беляков , О.М . Сресели // Физика и техника полупроводников . – 2000. –
Т. 34, № 9. – С. 1130-1134,.
[3] Блохин М .А . Рентгеноспектральный справочник / М .А . Блохин, В.Г.
Швейцер. - М .: Наука, 1985.- 345 с .
[4] Gole J.L. Origin of porous silicon photoluminescence: Evidence for a surface
bound oxyhydride-like emitter / J. L. Gole, F. P. Dudel, D. Grantierю // Phys.
Rev B.- 1997.- V 56, N. 4.- P.2137-2153.
[5] Hamilton B Porous silicon / B. Hamilton // Semicond. Sci. Technol.- 1995.- V.
10. P. 1187-1207.
Составители: проф. Домашевская Эвелина Павловна
доц . Кашкаров Владимир Михайлович
Редактор Тихомирова Ольга Александровна
11
К онтроль ныев опрос ы
1. Как овы облас т и п рим енения п орис т ы х м атериалов?
2. Чтот ак ое п орис тос т ь м ат ериала, в ч ем она изм еряетс я?
3. Как ие с тандартны е м етоды изм ерения п орис тос ти м ат ериалов извес тны в
нас тоящ ее врем я?
4. Как изм ерить п лотнос т ь м атериала? В ч ем с ос тоит разница в обы ч ной и
рентгеновс к ой п лотнос т и вещ ес тва?
5. Сп ос об оп ределения п орис т ос ти м атериала п орент геновс к ом у п оглощ ению .
6. Поч ем у изм ерение п орис т ос т и п ор-Si нужно п роводит ь с разу п ос ле
п олуч ения п орис т огос лоя?
7. Как ое влияние на результат ы изм ерений ок азы вает налич ие нарушенного
с лоя на границе м ежду п орис ты м и м онок рис таллич ес к им к рем нием ?
Л итература
[1] Кашк аров П.К. Необы ч ны е с вой с т ва п орис т ого к рем ния / П.К. Кашк аров //
Сорос овс к ий образоват ельны й ж урн.- 2001. - Т. 7, № 1.- С. 102-107.
[2] Горяч ев Д.Н. О м ех анизм е образования п орис т ого к рем ния / Д.Н. Горяч ев,
Л .В. Б еляк ов, О.М . Срес ели // Ф изик а и т ех ник а п олуп роводник ов. – 2000. –
Т . 34, № 9. – С. 1130-1134,.
[3] Б лох ин М .А . Рентгенос п ек т ральны й с п равоч ник / М .А . Б лох ин, В.Г.
Ш вей цер. - М .: Наук а, 1985.- 345 с .
[4] Gole J.L. Origin of porous silicon photoluminescence: Evidence for a surface
bound oxyhydride-like emitter / J. L. Gole, F. P. Dudel, D. Grantierю // Phys.
Rev B.- 1997.- V 56, N. 4.- P.2137-2153.
[5] Hamilton B Porous silicon / B. Hamilton // Semicond. Sci. Technol.- 1995.- V.
10. P. 1187-1207.
Сос тавит ели: п роф. Дом ашевс к ая Эвелина Павловна
доц. Кашк аров Владим ир М их ай лович
Редак тор Т их ом ирова Ольга А лек с андровна
