ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
4
Применение рентгеновской абсорбциометрии для измерения
толщины покрытий
С проблемой измерения толщины разного рода покрытий приходится
весьма часто сталкиваться в самых разных областях практической деятельности
– в технологии тонких пленок , при проведении экспертных анализов , в оптике
и лакокрасочном производстве. Существует много методов определения
толщины пленок – от оптических (эллипсометрия или интерферометрия) до
механических . Однако оптические методы пригодны для определения
толщины хотя бы частично прозрачных покрытий . Механические методы
применяются лишь при достаточно большой толщине пленок .
Последнее время в связи с развитием полупроводниковой электроники,
когда размеры элементов находятся в субмикронной и нанометровой области,
возникла проблема формирования контактов к этим приборам , выполненным
на основе металлических пленок , причем эти пленки должны иметь очень
малую толщину (1 – 0.1 мкм). Существующие методы контроля толщины
металлических пленок не могут обеспечить достаточно высокой точности
измерений . В связи с этим метод определения толщины пленок посредством
измерения рентгеновского поглощения приобретает большое значение. Более
того, этот метод , по-видимому, является одним из немногих , который является
технологичным, не требует применения сложной аппаратуры и обеспечивает
высокую точность измерений .
Определение толщины покрытий по измерению рентгеновского
поглощения линии возможно в двух разных вариантах . Рассмотрим вначале
самый простой метод возбуждения излучения в подложке.
В этом методе падающий на поверхность покрытия пучок тормозного
( полихроматического) излучения возбуждает линии характеристического
спектра подложки (в качестве которой может использоваться либо
определенный чистый элемент , либо химическое соединение с определенным
составом . В качестве измеряемого параметра используется интенсивность
линии характеристического излучения от подложки. Первичное излучение на
пути к подложке поглощается в материале покрытия. Возбуждаемое этим
излучением вторичное флуоресцентное излучение также поглощается в
покрытии. В результате, интенсивность характеристического излучения
подложки описывается следующим соотношением [2]:
−
−⋅
′
=
dM
e
M
A
C
kI
A
i
ρ
1
2
, (3)
где k’ – это постоянная прибора, С
А
– концентрация элемента А в подложке
(если используется чистый элемент А , то С
А
= 1),
A
i
I
2
- интенсивность линии
характеристического излучения элемента А , а величина M равна
ψ
µ
ϕ
µ
sinsin
1
i
+ ,
4 П рим енениерентг енов с кой абс орбциом етрии для изм ерения толщ ины покрытий С п роблем ой изм ерения толщ ины разного рода п ок ры тий п рих одитс я вес ьм а ч ас т ос талк иват ьс я в с ам ы х разны х облас т ях п рак т ич ес к ой деятельнос т и – в тех нологии т онк их п ленок , п ри п роведении э к с п ерт ны х анализов, в оп т ик е и лак ок рас оч ном п роизводс т ве. Сущ ес твует м ного м ет одов оп ределения т олщ ины п ленок – от оп тич ес к их (э ллип с ом ет рия или интерфером ет рия) до м ех анич ес к их . Однак о оп тич ес к ие м ет оды п ригодны для оп ределения т олщ ины х отя бы ч ас т ич но п розрач ны х п ок ры т ий . М ех анич ес к ие м ет оды п рим еняю т с я лишь п ри дос т ат оч нобольшой толщ ине п ленок . Пос леднее врем я в с вязи с развит ием п олуп роводник овой э лек т роник и, к огда разм еры э лем ент ов нах одят с я в с убм ик ронной и наном ет ровой облас т и, возник ла п роблем а форм ирования к онт ак т ов к э т им п риборам , вы п олненны м на ос нове м ет аллич ес к их п ленок , п рич ем э ти п ленк и должны им еть оч ень м алую толщ ину (1 – 0.1 м к м ). Сущ ес т вую щ ие м етоды к онт роля т олщ ины м еталлич ес к их п ленок не м огут обес п еч ит ь дос т ат оч но вы с ок ой точ нос т и изм ерений . В с вязи с э т им м ет од оп ределения т олщ ины п ленок п ос редс т вом изм ерения рентгеновс к ого п оглощ ения п риобрет ает большое знач ение. Б олее т ого, э т от м етод, п о-видим ом у, являетс я одним изнем ногих , к от оры й являетс я т ех нологич ны м , не требует п рим енения с ложной ап п арат уры и обес п еч ивает вы с ок ую т оч нос т ь изм ерений . Оп ределение т олщ ины п ок ры тий п о изм ерению рентгеновс к ого п оглощ ения линии возм ожно в двух разны х вариантах . Рас с м отрим внач але с ам ы й п рос т ой м ет од возбуждения излуч ения в п одложк е. В э т ом м ет оде п адаю щ ий на п оверх нос т ь п ок ры тия п уч ок т орм озного (п олих ром атич ес к ого) излуч ения возбуждает линии х арак т ерис тич ес к ого с п ек тра п одложк и (в к ач ес т ве к оторой м ожет ис п ользоват ьс я либо оп ределенны й ч ис т ы й э лем ент, либо х им ич ес к ое с оединение с оп ределенны м с ос т авом . В к ач ес т ве изм еряем ого п арам ет ра ис п ользует с я инт енс ивнос т ь линии х арак т ерис т ич ес к ого излуч ения от п одложк и. Первич ное излуч ение на п ути к п одложк е п оглощ ает с я в м ат ериале п ок ры тия. Возбуждаем ое э тим излуч ением вт орич ное флуорес центное излуч ение т ак же п оглощ ает с я в п ок ры тии. В результате, интенс ивнос ть х арак терис тич ес к ого излуч ения п одложк и оп ис ы вает с я с ледую щ им с оот ношением [2]: C − Mρ d I 2Ai = k ′ A ⋅ 1 − e , (3) M где k’ – э т о п ос т оянная п рибора, СА – к онцент рация э лем ент а А в п одложк е (ес ли ис п ользует с я ч ис ты й э лем ент А , то С А = 1), I 2Ai - интенс ивнос т ь линии µ1 µ х арак т ерис тич ес к ого излуч ения э лем ент а А , а велич ина M равна + i , sin ϕ sin ψ
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- …
- следующая ›
- последняя »