Источники излучения для волоконно-оптических линий связи. Кавецкая И.В - 31 стр.

                                    31
      По спектральному составу используемые в ВОСП лазеры могут иметь как
многомодовый, так и одномодовый, в пределе одночастотный, режимы
генерации в зависимости от назначения и конструкции. Особый интерес
представляют одночастотные лазеры, согласованные с отрезками волокна, на
которых сформированы брэгговские решетки. В этих лазерах достигается
ширина линии генерации менее 100 кГц в зависимости от количества штрихов,
т.е. длины брэгговской решетки в сердцевине волокна, которая практически
формирует спектр излучения лазера.
      В волоконно-оптических линиях связи большое распространение
получили конструкции лазерных модулей. Основными элементами лазерного
модуля являются: лазерный диод (ЛД), фотодиод, термоэлектрический
холодильник, оптический изолятор, одномодовый световод со сферической
линзой на конце.
     Ресурс работы лазеров, используемых в ВОЛС, составляет 500000 часов и
более.
     Ниже можно ознакомиться с основными характеристиками и
особенностями работы различных лазерных систем, применяемых в ВОЛС.
      1. Лазерные диоды непрерывного режима генерации:
      а) лазерные диоды видимого диапазона на основе AlGaInP
квантоворазмерных структур:
       • рабочая длина волны - 695…690 нм;
       • мощность излучения - 5…250 мВт;
       • пороговый ток - 40…300 мА;
       • расходимость - 8х30, 10х30, 10х35 град.;
       • ширина линии излучения - 2,0 нм.
      б) одномодовые лазерные диоды ИК диапазона на основе GaAlAs
квантоворазмерных структур:
       • рабочая длина волны - 755…925 нм;
       • мощность излучения - 5…100 мВт;
       • пороговый ток - 55…180 мА;
       • расходимость - 8х30, 10х30, 10х35 град.;
       • ширина линии излучения - 1,5 нм.
      в) InGaAs квантоворазмерные структуры:
       • рабочая длина волны - 960…990 нм;
       • мощность излучения - 50…100 мВт;
       • пороговый ток - 35…40 мА;
       • расходимость - 10х30 град.;
       • ширина линии излучения - 3,0 нм.
      г) InGaAsP структуры:
       • рабочая длина волны - 1270…1580 нм;
       • мощность излучения - 5…100 мВт;
       • пороговый ток - 30…50 мА;
       • расходимость - 20х35 град.;
       • ширина линии излучения - 2,5…6,0 нм.