ВУЗ:
Составители:
32
в ) высокомощные лазерные диоды на основе AlGaAs и InGaAl:
• рабочая длина волны - 805… 1040 нм;
• мощность излучения - 100… 1000 мВт;
• пороговый ток - 180… 350 мА;
• расходимость - 8х 30, 12х 35, 12х 32 град.;
• ширина линии излучения - 3,0; 10 нм.
2. Импульсные лазерные диоды:
а) многомодовые лазерные диоды (800 - 820 нм):
• импульсная выходная мощность - 5… 500 Вт;
• частота повторения импульса - 5000; 10000 Гц;
• длительность импульса - 100 нс;
• расходимость - 25х 10 град.;
• спектральная ширина линии - 3,0 нм;
• точность позиционирования - ±500 мкм .
б) многомодовые лазерные диоды (900 - 905 нм):
• импульсная выходная мощность - 5… 500 Вт;
• частота повторения импульса - 5000; 10000 Гц;
• длительность импульса - 100 нс;
• расходимость - 40х 12 град.;
• спектральная ширина линии - 3,0 нм;
• точность позиционирования - ±500 мкм .
в ) импульсные полупроводниковые лазеры (800 - 810 нм):
• импульсная выходная мощность - 50… 150 Вт;
• частота повторения импульса - 1000… 5000 Гц;
• длительность импульса - 100 нс;
• расходимость - 25х 10 град.;
• спектральная ширина линии - 3,0 нм;
• точность позиционирования - ±500 мкм .
3. Лазерные модули:
а) высокочастотные лазерные модули (для телекоммуникаций):
• длина волны излучения - 1300 нм;
• мощность на выходе - 4; 1,0 мВт;
• полоса частотной модуляции - 6… 10; 0,001… 6 ГГц;
• ширина линии излучения - 5; 3 нм.
б) лазерные модули с волоконной брэгговской решеткой:
Работают в одномодовом режиме на длинах волн - 1060, 1300, 1550 нм
как в непрерывном, так и в импульсном режимах .
• ширина линии излучения - <500 кГц.
• мощность на выходе - 3… 10 мВт;
• пороговый ток - 10… 60 мА.
Применяют в оптоволоконных датчиках , лазерах и усилителях.
в ) передающие модули на основе высокоэффективных
суперлюминесцентных светодиодов:
Предназначены для использования в цифровых волоконно-оптических
32 в) высокомощные лазерные диоды на основе AlGaAs и InGaAl: • рабочая длина волны - 805…1040 нм; • мощность излучения - 100…1000 мВт; • пороговый ток - 180…350 мА; • расходимость - 8х30, 12х35, 12х32 град.; • ширина линии излучения - 3,0; 10 нм. 2. Импульсные лазерные диоды: а) многомодовые лазерные диоды (800 - 820 нм): • импульсная выходная мощность - 5…500 Вт; • частота повторения импульса - 5000; 10000 Гц; • длительность импульса - 100 нс; • расходимость - 25х10 град.; • спектральная ширина линии - 3,0 нм; • точность позиционирования - ±500 мкм. б) многомодовые лазерные диоды (900 - 905 нм): • импульсная выходная мощность - 5…500 Вт; • частота повторения импульса - 5000; 10000 Гц; • длительность импульса - 100 нс; • расходимость - 40х12 град.; • спектральная ширина линии - 3,0 нм; • точность позиционирования - ±500 мкм. в) импульсные полупроводниковые лазеры (800 - 810 нм): • импульсная выходная мощность - 50…150 Вт; • частота повторения импульса - 1000…5000 Гц; • длительность импульса - 100 нс; • расходимость - 25х10 град.; • спектральная ширина линии - 3,0 нм; • точность позиционирования - ±500 мкм. 3. Лазерные модули: а) высокочастотные лазерные модули (для телекоммуникаций): • длина волны излучения - 1300 нм; • мощность на выходе - 4; 1,0 мВт; • полоса частотной модуляции - 6…10; 0,001…6 ГГц; • ширина линии излучения - 5; 3 нм. б) лазерные модули с волоконной брэгговской решеткой: Работают в одномодовом режиме на длинах волн - 1060, 1300, 1550 нм как в непрерывном, так и в импульсном режимах. • ширина линии излучения - <500 кГц. • мощность на выходе - 3…10 мВт; • пороговый ток - 10…60 мА. Применяют в оптоволоконных датчиках, лазерах и усилителях. в) передающие модули на основе высокоэффективных суперлюминесцентных светодиодов: Предназначены для использования в цифровых волоконно-оптических