Источники излучения для волоконно-оптических линий связи. Кавецкая И.В - 32 стр.

UptoLike

32
в ) высокомощные лазерные диоды на основе AlGaAs и InGaAl:
рабочая длина волны - 805 1040 нм;
мощность излучения - 1001000 мВт;
пороговый ток - 180350 мА;
расходимость - 8х 30, 12х 35, 12х 32 град.;
ширина линии излучения - 3,0; 10 нм.
2. Импульсные лазерные диоды:
а) многомодовые лазерные диоды (800 - 820 нм):
импульсная выходная мощность - 5500 Вт;
частота повторения импульса - 5000; 10000 Гц;
длительность импульса - 100 нс;
расходимость - 25х 10 град.;
спектральная ширина линии - 3,0 нм;
точность позиционирования - ±500 мкм .
б) многомодовые лазерные диоды (900 - 905 нм):
импульсная выходная мощность - 5 500 Вт;
частота повторения импульса - 5000; 10000 Гц;
длительность импульса - 100 нс;
расходимость - 40х 12 град.;
спектральная ширина линии - 3,0 нм;
точность позиционирования - ±500 мкм .
в ) импульсные полупроводниковые лазеры (800 - 810 нм):
импульсная выходная мощность - 50150 Вт;
частота повторения импульса - 10005000 Гц;
длительность импульса - 100 нс;
расходимость - 25х 10 град.;
спектральная ширина линии - 3,0 нм;
точность позиционирования - ±500 мкм .
3. Лазерные модули:
а) высокочастотные лазерные модули (для телекоммуникаций):
длина волны излучения - 1300 нм;
мощность на выходе - 4; 1,0 мВт;
полоса частотной модуляции - 6 10; 0,001 6 ГГц;
ширина линии излучения - 5; 3 нм.
б) лазерные модули с волоконной брэгговской решеткой:
Работают в одномодовом режиме на длинах волн - 1060, 1300, 1550 нм
как в непрерывном, так и в импульсном режимах .
ширина линии излучения - <500 кГц.
мощность на выходе - 3 10 мВт;
пороговый ток - 1060 мА.
Применяют в оптоволоконных датчиках , лазерах и усилителях.
в ) передающие модули на основе высокоэффективных
суперлюминесцентных светодиодов:
Предназначены для использования в цифровых волоконно-оптических
                                     32
      в) высокомощные лазерные диоды на основе AlGaAs и InGaAl:
       • рабочая длина волны - 805…1040 нм;
       • мощность излучения - 100…1000 мВт;
       • пороговый ток - 180…350 мА;
       • расходимость - 8х30, 12х35, 12х32 град.;
       • ширина линии излучения - 3,0; 10 нм.
      2. Импульсные лазерные диоды:
      а) многомодовые лазерные диоды (800 - 820 нм):
       • импульсная выходная мощность - 5…500 Вт;
       • частота повторения импульса - 5000; 10000 Гц;
       • длительность импульса - 100 нс;
       • расходимость - 25х10 град.;
       • спектральная ширина линии - 3,0 нм;
       • точность позиционирования - ±500 мкм.
      б) многомодовые лазерные диоды (900 - 905 нм):
       • импульсная выходная мощность - 5…500 Вт;
       • частота повторения импульса - 5000; 10000 Гц;
       • длительность импульса - 100 нс;
       • расходимость - 40х12 град.;
       • спектральная ширина линии - 3,0 нм;
       • точность позиционирования - ±500 мкм.
      в) импульсные полупроводниковые лазеры (800 - 810 нм):
       • импульсная выходная мощность - 50…150 Вт;
       • частота повторения импульса - 1000…5000 Гц;
       • длительность импульса - 100 нс;
       • расходимость - 25х10 град.;
       • спектральная ширина линии - 3,0 нм;
       • точность позиционирования - ±500 мкм.
      3. Лазерные модули:
      а) высокочастотные лазерные модули (для телекоммуникаций):
       • длина волны излучения - 1300 нм;
       • мощность на выходе - 4; 1,0 мВт;
       • полоса частотной модуляции - 6…10; 0,001…6 ГГц;
       • ширина линии излучения - 5; 3 нм.
      б) лазерные модули с волоконной брэгговской решеткой:
       Работают в одномодовом режиме на длинах волн - 1060, 1300, 1550 нм
как в непрерывном, так и в импульсном режимах.
       • ширина линии излучения - <500 кГц.
       • мощность на выходе - 3…10 мВт;
       • пороговый ток - 10…60 мА.
       Применяют в оптоволоконных датчиках, лазерах и усилителях.
      в) передающие модули на основе высокоэффективных
суперлюминесцентных светодиодов:
       Предназначены для использования в цифровых волоконно-оптических