ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
32
где
1
1
=A
τ
, т. е. в этом случае энергия активации процесса распада
ассоциатов равна энергии ионизации уровня ассоциата.
Из приведенных выше данных следует, что под действием света в
полупроводниках А
II
В
VI
происходит преобразование различных
локальных центров, вызванное их перезарядкой. Сравнение энергий
активации ФХР и диффузии подвижных дефектов показывает, что в
большинстве случаев процессы ФХР контролируются процессами
диффузии, причем в известных случаях эта диффузия является обычной,
не рекомбинационно-стимулированной. В большинстве случаев
перезарядка исходных дефектов приводит к изменению сил
взаимодействия между ними и рекомбинационно-стимулированные
процессы, как правило, не имеют места. Важным фактором,
способствующим протеканию ФХР, является достаточно высокая
подвижность в решетке некоторых собственных дефектов и ряда примесей
в области комнатных температур.
Часть 2. Метод фотостимулированной вспышки
люминесценции (ФСВЛ)
В данной главе описан метод фотостимулированной вспышки
люминесценции (ФСВЛ). Этот метод может быть применен для
исследования структуры и электронных свойств примесных центров и
различных дефектов широкозонных кристаллофосфоров, имеющих
люминесценцию в видимой и ближней ультрафиолетовой (УФ) области
спектра. Этот метод дает возможность:
− измерять энергетическое распределение примесных состояний в
запрещенной зоне кристалла;
− оценивать изменение концентрации дефектов при различных
воздействиях на кристалл (облучение, воздействие температурой,
электрическим или магнитным полем, адсорбция на поверхность ионов,
атомов, кластеров и т. д.);
− измерять энергии активации процессов, приводящих к
перестройке примесных дефектов.
2.1. Принцип метода ФСВЛ
На рис. 2.1 приведена простейшая зонная схема кристаллофосфора,
который имеет один тип центров люминесценции (уровень 1) и один тип
дефектов, имеющих глубокий уровень энергии (уровень 2).
Во время освещения кристалла УФ-излучением связанные
электроны, находящиеся в валентной зоне, поглощают кванты с энергией
hν
УФ
и переходят в зону проводимости (рис. 2.1, переход с параметром α).
При этом возникает пара свободных неравновесных носителей заряда:
1 где = A , т. е. в этом случае энергия активации процесса распада τ1 ассоциатов равна энергии ионизации уровня ассоциата. Из приведенных выше данных следует, что под действием света в полупроводниках АII ВVI происходит преобразование различных локальных центров, вызванное их перезарядкой. Сравнение энергий активации ФХР и диффузии подвижных дефектов показывает, что в большинстве случаев процессы ФХР контролируются процессами диффузии, причем в известных случаях эта диффузия является обычной, не рекомбинационно-стимулированной. В большинстве случаев перезарядка исходных дефектов приводит к изменению сил взаимодействия между ними и рекомбинационно-стимулированные процессы, как правило, не имеют места. Важным фактором, способствующим протеканию ФХР, является достаточно высокая подвижность в решетке некоторых собственных дефектов и ряда примесей в области комнатных температур. Часть 2. Метод фотостимулированной вспышки люминесценции (ФСВЛ) В данной главе описан метод фотостимулированной вспышки люминесценции (ФСВЛ). Этот метод может быть применен для исследования структуры и электронных свойств примесных центров и различных дефектов широкозонных кристаллофосфоров, имеющих люминесценцию в видимой и ближней ультрафиолетовой (УФ) области спектра. Этот метод дает возможность: − измерять энергетическое распределение примесных состояний в запрещенной зоне кристалла; − оценивать изменение концентрации дефектов при различных воздействиях на кристалл (облучение, воздействие температурой, электрическим или магнитным полем, адсорбция на поверхность ионов, атомов, кластеров и т. д.); − измерять энергии активации процессов, приводящих к перестройке примесных дефектов. 2.1. Принцип метода ФСВЛ На рис. 2.1 приведена простейшая зонная схема кристаллофосфора, который имеет один тип центров люминесценции (уровень 1) и один тип дефектов, имеющих глубокий уровень энергии (уровень 2). Во время освещения кристалла УФ-излучением связанные электроны, находящиеся в валентной зоне, поглощают кванты с энергией hνУФ и переходят в зону проводимости (рис. 2.1, переход с параметром α). При этом возникает пара свободных неравновесных носителей заряда: 32
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 30
- 31
- 32
- 33
- 34
- …
- следующая ›
- последняя »