Фотостимулированные явления в твердых телах. Клюев В.Г. - 32 стр.

     1
где     = A , т. е. в этом случае энергия активации процесса распада
     τ1
ассоциатов равна энергии ионизации уровня ассоциата.
      Из приведенных выше данных следует, что под действием света в
полупроводниках АII ВVI происходит преобразование различных
локальных центров, вызванное их перезарядкой. Сравнение энергий
активации ФХР и диффузии подвижных дефектов показывает, что в
большинстве случаев процессы ФХР контролируются процессами
диффузии, причем в известных случаях эта диффузия является обычной,
не рекомбинационно-стимулированной. В большинстве случаев
перезарядка исходных дефектов приводит к изменению сил
взаимодействия между ними и рекомбинационно-стимулированные
процессы, как правило, не имеют места. Важным фактором,
способствующим протеканию ФХР, является достаточно высокая
подвижность в решетке некоторых собственных дефектов и ряда примесей
в области комнатных температур.

    Часть   2.   Метод           фотостимулированной          вспышки
люминесценции (ФСВЛ)
     В данной главе описан метод фотостимулированной вспышки
люминесценции (ФСВЛ). Этот метод может быть применен для
исследования структуры и электронных свойств примесных центров и
различных дефектов широкозонных кристаллофосфоров, имеющих
люминесценцию в видимой и ближней ультрафиолетовой (УФ) области
спектра. Этот метод дает возможность:
     − измерять энергетическое распределение примесных состояний в
запрещенной зоне кристалла;
     − оценивать изменение концентрации дефектов при различных
воздействиях на кристалл (облучение, воздействие температурой,
электрическим или магнитным полем, адсорбция на поверхность ионов,
атомов, кластеров и т. д.);
     − измерять энергии активации процессов, приводящих к
перестройке примесных дефектов.
      2.1. Принцип метода ФСВЛ
      На рис. 2.1 приведена простейшая зонная схема кристаллофосфора,
который имеет один тип центров люминесценции (уровень 1) и один тип
дефектов, имеющих глубокий уровень энергии (уровень 2).
      Во время освещения кристалла УФ-излучением связанные
электроны, находящиеся в валентной зоне, поглощают кванты с энергией
hνУФ и переходят в зону проводимости (рис. 2.1, переход с параметром α).
При этом возникает пара свободных неравновесных носителей заряда:
                                   32