ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
37
Видно, что в этом случае оба первых уравнения системы (5)
становятся одинаковыми:
2
.
12
dndndn
===
ω n
dtdtdt
−
(14)
Интегрируя (14) с начальными условиями: t = 0 n = n
0
, где
n
0
= S
запасенная
– начальная концентрация локализованных электронов,
получим:
n = n
0
exp(– ω
2ИК
t). (15)
Так как при измерении ФСВЛ U = 0 ═> ω
2УФ
= 0 и, как правило,
вспышка люминесценции исследуется для глубоких ловушек, для которых
ΔЕ
2
>> kT, что означает ω
2Т
= 0, то в (15) вместо ω
2
стоит ω
2ИК
. Согласно (11)
J
люм
= n
0
ω
2ИК
exp(– ω
2ИК
t) = J
0
exp(–ω
2ИК
t). (16)
J
люм
Начальная интенсивность ФСВЛ равна
J
0
= n
0
ω
2ИК
= n
0
σ
ИК
I. (17)
J
0
Полная высвеченная светосумма равна
площади под кривой на рис. 2.3 и
задается выражением:
S =
022
0
exp()
ИКИК
n
ωωt
∞
−
∫
= n
0.
(18)
t
Рис. 2.3. Зависимость J
люм
(t) согласно (16)
Сравнивая выражения (17) и (18), можно заметить, что частное
величин J
0
и S, равное
00
0
ИК
k
ИК
JnσI
K===
σ I
Sn
, (19)
не зависит от начального заполнения ловушек и при I = const зависит
только от σ
ИК
, т. е. величина К
k
= σ
ИК
I характеризует эффективное сечение
захвата ИК-квантов центрами локализации электронов.
2.3. Пример экспериментальных зависимостей параметров ФСВЛ.
На экспериментальных установках измеряется зависимость J
люм
(t) во
время стимуляции ФСВЛ ИК-светом. Типичный вид такой зависимости
представлен на рис. 2.4.
Видно, что экспериментальная кривая отличается от
теоретической (рис. 3) как на начальном участке (начинается со
значения J
люм
(0) = 0), так и на конечном (t
∞
= 10÷100 с). Это означает,
что простейшая модель не соответствует реальной картине
распределения уровней в запрещенной зоне кристалла. То есть в
Видно, что в этом случае оба первых уравнения системы (5) становятся одинаковыми: dn1 dn2 dn = = = −ω2 n. (14) dt dt dt Интегрируя (14) с начальными условиями: t = 0 n = n0, где n0 = Sзапасенная – начальная концентрация локализованных электронов, получим: n = n0exp(– ω2ИКt). (15) Так как при измерении ФСВЛ U = 0 ═> ω2УФ = 0 и, как правило, вспышка люминесценции исследуется для глубоких ловушек, для которых ΔЕ2 >> kT, что означает ω2Т = 0, то в (15) вместо ω2 стоит ω2ИК. Согласно (11) Jлюм = n0 ω2ИКexp(– ω2ИКt) = J0exp(–ω2ИКt). (16) Jлюм Начальная интенсивность ФСВЛ равна J0 = n0 ω2ИК = n0 σИКI. (17) J0 Полная высвеченная светосумма равна площади под кривой на рис. 2.3 и задается выражением: ∞ S = ∫ n0ω2ИК exp ( − ω2ИК t ) = n0. (18) 0 t Рис. 2.3. Зависимость Jлюм (t) согласно (16) Сравнивая выражения (17) и (18), можно заметить, что частное величин J0 и S, равное J nσ I K k = 0 = 0 ИК = σ ИК I , (19) S n0 не зависит от начального заполнения ловушек и при I = const зависит только от σИК, т. е. величина Кk = σИКI характеризует эффективное сечение захвата ИК-квантов центрами локализации электронов. 2.3. Пример экспериментальных зависимостей параметров ФСВЛ. На экспериментальных установках измеряется зависимость Jлюм (t) во время стимуляции ФСВЛ ИК-светом. Типичный вид такой зависимости представлен на рис. 2.4. Видно, что экспериментальная кривая отличается от теоретической (рис. 3) как на начальном участке (начинается со значения Jлюм (0) = 0), так и на конечном (t ∞ = 10÷100 с). Это означает, что простейшая модель не соответствует реальной картине распределения уровней в запрещенной зоне кристалла. То есть в 37
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 35
- 36
- 37
- 38
- 39
- …
- следующая ›
- последняя »