Фотостимулированные явления в твердых телах. Клюев В.Г. - 39 стр.

UptoLike

Составители: 

39
Cечение захвата фотонов σ
2
характеризует размер центра и при
определенных условиях пропорционально числу атомов m в этом центре,
если он является малоатомным (~10 < m < ~ 1000) кластером [2].
Итак, основными экспериментальными величинами, которые
определяются в результате измерения зависимости J
люм
(t), являются:
1) полная высвеченная светосумма S, пропорциональная числу
дефектов, имеющих энергетический уровень на данной глубине ΔE = hν
ИК
в запрещенной зоне кристалла;
2) коэффициент кинетики ФСВЛ K
k
, пропорциональный размеру
дефекта данного типа.
Эти величины называются параметрами ФСВЛ.
В настоящее время лаборатории кафедры оптики и спектроскопии
оснащены установками, позволяющими измерять кривую J
люм
(t
ФСВЛ
) в
автоматическом режиме. При этом J
люм
измеряется через 0.2 с.
В результате получается так называемая кинетическая кривая, которая
используется для вычисления параметров ФСВЛ по формулам (19) (21).
На рис. 2.5 в качестве примера изображены так называемые спектры
стимуляции ФСВЛ для светосуммы (кривая 1) и для коэффициента
кинетики (кривая 2), характерные для моно- и микрокристаллов (МК)
чистого хлорида серебра [2].
S, отн.ед. K
k
1.0 0.06
2
1
0.02
0
0.7 0.9 1.1 1.3 1.5 1.7 1.9 hυ
ИК
, эВ
Рис. 2.5. Зависимость S (1) и K
k
(2) от энергии квантов ИК-света,
стимулирующего ФСВЛ
Кривая 1 отражает распределение плотности электронных состояний
в запрещенной зоне хлорида серебра на глубине 0.7 эВ < ΔE < 2.0 эВ от
дна зоны проводимости.
Кривая 2 дает информацию о том, что центры, для которых ΔE ~ 1.1 эВ,
имеют большее эффективное сечение, чем центры с другим значением ΔE.
      Cечение захвата фотонов σ2 характеризует размер центра и при
определенных условиях пропорционально числу атомов m в этом центре,
если он является малоатомным (~10 < m < ~ 1000) кластером [2].
      Итак, основными экспериментальными величинами, которые
определяются в результате измерения зависимости Jлюм (t), являются:
      1) полная высвеченная светосумма – S, пропорциональная числу
дефектов, имеющих энергетический уровень на данной глубине ΔE = hνИК
в запрещенной зоне кристалла;
      2) коэффициент кинетики ФСВЛ – Kk, пропорциональный размеру
дефекта данного типа.
      Эти величины называются параметрами ФСВЛ.
      В настоящее время лаборатории кафедры оптики и спектроскопии
оснащены установками, позволяющими измерять кривую Jлюм (tФСВЛ) в
автоматическом режиме. При этом Jлюм измеряется через 0.2 с.
В результате получается так называемая кинетическая кривая, которая
используется для вычисления параметров ФСВЛ по формулам (19) – (21).
      На рис. 2.5 в качестве примера изображены так называемые спектры
стимуляции ФСВЛ для светосуммы (кривая 1) и для коэффициента
кинетики (кривая 2), характерные для моно- и микрокристаллов (МК)
чистого хлорида серебра [2].
     S, отн.ед.                                      Kk

           1.0                                        0.06

                         2




                         1
                                                      0.02

     0
     0.7         0.9   1.1   1.3   1.5    1.7     1.9 hυИК, эВ

     Рис. 2.5. Зависимость S (1) и Kk (2) от энергии квантов ИК-света,
стимулирующего ФСВЛ
      Кривая 1 отражает распределение плотности электронных состояний
в запрещенной зоне хлорида серебра на глубине 0.7 эВ < ΔE < 2.0 эВ от
дна зоны проводимости.
      Кривая 2 дает информацию о том, что центры, для которых ΔE ~ 1.1 эВ,
имеют большее эффективное сечение, чем центры с другим значением ΔE.
                                    39