Фотостимулированные явления в твердых телах. Клюев В.Г. - 40 стр.

     2.4.   Применение      метода     ФСВЛ       для      исследования
            фотостимулированных процессов в широкозонных кристаллах
     Данные, приведенные на рис. 2.5, дают начальную информацию о
концентрации и размерах примесных дефектов в кристалле. Такая
информация имеет особую ценность, когда в кристалле протекают
процессы, приводящие к перестройке дефектов. Особый интерес
представляет такая перестройка под действием излучений с различной
энергией квантов. Так ведут себя светочувствительные кристаллы,
являющиеся основой сред для записи оптической информации. К ним, в
частности, относятся галогениды серебра, сульфиды цинка и кадмия.
     На рис. 2.6 приведен пример преобразования спектров стимуляции
ФСВЛ для эмульсионных МК хлорида серебра, подвергнутого облучению
УФ-светом при 300 К.

     S, отн.ед.                                          Kk


                                         4         1
     1                                                     0.06
                      2                            3




                                                           0.02

     0
     0.7     0.9    1.1    1.3     1.5       1.7       1.9 hνИК, эВ

     Рис. 2.6. Зависимости S (1,3) и Kk (2,4) от энергии квантов ИК-
света, стимулирующего ФСВЛ. Хлорид серебра неосвещенный (1,2) и
освещенный (3,4)

      Данные рисунка можно интерпретировать следующим образом.
      1. В результате освещения изменяется распределение электронных
состояний (вместо кривой 1 получаем кривую 3). Наблюдается
уменьшение концентрации дефектов, имеющих эти электронные
состояния.
      2. Из сравнения кривых 2 и 4 делаем вывод о том, что центры,
имеющие ΔE ~ 1.1 эВ, стали менее крупными, а центры, имеющие ΔE ~ 1.9 эВ,
стали более крупными.

                                   40