Фотостимулированные явления в твердых телах. Клюев В.Г. - 38 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

38
реальном кристалле число уровней по крайней мере больше двух.
Однако, несмотря на это обстоятельство, для оценки электронных
свойств кристаллов, как правило, используется вышеприведенная
простейшая модель кристалла в силу ее структурной простоты и
простоты аналитических решений (18) и (19).
J
люм
(t)
S
высвеченная
∆t
0
0 t
0
t
∞
t, c.
Рис. 2.4. Типичная экспериментальная зависимость интенсивности
люминесценции от времени в процессе измерения ФСВЛ
Поэтому за начальную светосумму обычно принимается величина
J
0
=
0
0
t
люм
J(t)dt
∫
, (20)
где t
0
– время, соответствующее первым нескольким точкам начального
участка кривой, выбираемое в зависимости от крутизны этого участка.
Полная (высвеченная) светосумма находится интегрированием
кривой от t = 0 до t = t
∞
, которое соответствует времени, за которое
интенсивность вспышки уменьшается до фоновых показаний установки.
S =
0
.
t
люм
J(t)dt
∞
∫
(21)
Интерпретируя результаты эксперимента, основываясь на
простейшей модели кристалла, считают, что высвеченная светосумма
пропорциональна концентрации локализованных электронов и
пропорциональна концентрации самих электронных ловушек, т. е.
S ~ N
2
, (22)
а величина К
k
, которая называется коэффициентом кинетики ФСВЛ, при
I = const пропорциональна эффективному сечению захвата фотонов центра
локализации электронов, т. е.
K
k
~ σ
2
. (23) 
реальном кристалле число уровней по крайней мере больше двух.
Однако, несмотря на это обстоятельство, для оценки электронных
свойств кристаллов, как правило, используется вышеприведенная
простейшая модель кристалла в силу ее структурной простоты и
простоты аналитических решений (18) и (19).


        Jлюм (t)



                             Sвысвеченная


  ∆t0


          0 t0                                     t∞ t, c.


     Рис. 2.4. Типичная экспериментальная зависимость интенсивности
люминесценции от времени в процессе измерения ФСВЛ

        Поэтому за начальную светосумму обычно принимается величина
                                  t0
                             J0 =∫ J люм (t)dt ,                   (20)
                                   0
где t0 – время, соответствующее первым нескольким точкам начального
участка кривой, выбираемое в зависимости от крутизны этого участка.
      Полная (высвеченная) светосумма находится интегрированием
кривой от t = 0 до t = t∞, которое соответствует времени, за которое
интенсивность вспышки уменьшается до фоновых показаний установки.
                                   t∞
                             S = ∫ J люм (t)dt.                    (21)
                                   0
      Интерпретируя     результаты      эксперимента,  основываясь    на
простейшей модели кристалла, считают, что высвеченная светосумма
пропорциональна      концентрации       локализованных   электронов    и
пропорциональна концентрации самих электронных ловушек, т. е.
                              S ~ N2 ,                              (22)
а величина Кk , которая называется коэффициентом кинетики ФСВЛ, при
I = const пропорциональна эффективному сечению захвата фотонов центра
локализации электронов, т. е.
                                    Kk ~ σ2.                        (23)

                                        38

Страницы