Фотостимулированные явления в твердых телах. Клюев В.Г. - 42 стр.

     S, отн.ед.
                                                     S2
           5.0                                       S1
                         3
                                                     2.0


           2.5                             1

                         2




     0
     0.7         0.9   1.1   1.3   1.5   1.7    1.9 hνИК, эВ

Рис. 2.7. Пример зависимости высвеченной светосуммы от hν для
исходного кристалла (кривая 1), для кристалла, подвергнутого
воздействию, например, УФ-излучения (2), и результат деления значений
обеих светосумм (3)

      2. Другой очень важный момент возникает тогда, когда в результате
воздействия на кристалл и изменения в результате этого структуры
дефектов уменьшается (или увеличивается) интенсивность стационарной
люминесценции. Этому может быть несколько причин: либо могут
возникать центры конкурирующей рекомбинации, либо могут изменяться
спектры     поглощения или отражения кристалла, либо может быть
комбинация перечисленных случаев.
      А так как одной из основных задач при применении метода ФСВЛ
является слежение за изменением распределения электронных состояний в
запрещенной зоне кристалла, то сравнение параметров ФСВЛ имеет смысл
только в случае, когда интенсивность стационарной люминесценции
остается постоянной!
      Обычно предполагается, что интенсивность люминесценции и
высвеченная светосумма пропорциональны друг другу, то есть
выполняется соотношение S ~ Jлюм. Поэтому перед тем как строить
зависимости, аналогичные приведенным на рис. 2.7, необходимо
скорректировать измеренное значение S на величину изменения
интенсивности стационарной люминесценции:
                                  J
                              S = 0 S0 ,                           (24)
                                  J

                                   42