Фотостимулированные явления в твердых телах. Клюев В.Г. - 41 стр.

      На основе первых двух выводов можно предположить, что под
действием света в кристалле хлорида серебра происходит преобразование
дефектов. В результате этого преобразования из отдельных дефектов,
например, нестехиометрических атомов или ионов серебра, имеющих
меньшее эффективное сечение,        образуются кластеры, включающие
несколько атомов серебра. При этом общее число дефектов (площадь под
кривой 1) уменьшается, а их размер (параметр Кк) увеличивается.
      Картину, аналогичную рис. 6, можно получить, если МК хлорида
серебра, например, обработать в растворе, содержащем ионы серебра. При
этом также получаем серебряные кластеры, но полученные другим методом.
      2.5. Особенности интерпретации зависимости параметров ФСВЛ от
энергии квантов стимулирующего излучения
      Так как зависимости, изображенные на рис. 2.6, получены при
измерении параметров реальных кристаллов, имеющих сложную систему
дефектов и, соответственно, сложную систему уровней в запрещенной
зоне, а интерпретируются с помощью простейшей модели, имеющей всего
один уровень электронной ловушки, то этот факт необходимо учитывать
при анализе результатов эксперимента и формулировке физических
выводов.
      1. Прежде всего следует отметить, что начинать анализ нужно после
того, как спектр стимуляции ФСВЛ построен не в виде рис. 2.6, а в виде
зависимости от hνИК следующего отношения:
                        Sкристалла подвергнутого воздействию
                                                               .
                       Sкристалла не подвергнутого воздействию
Дело в том, что если в процессе воздействия на кристалл в нем образуются
центры, обладающие рекомбинационными свойствами, то они составляют
конкуренцию центрам люминесценции, перехватывая часть неравновесных
электронов и дырок. При этом и высвеченная светосумма уменьшается.
Оказывается, что при возникновении центров рекомбинации она
уменьшается в одно и то же число раз во всем диапазоне изменения hν [2].
Пример зависимости высвеченной светосуммы от hν для исходного
кристалла и для кристалла, подвергнутого воздействию УФ-излучения,
приведен на рис. 2.7.
      Из визуального сравнения кривых 1 и 2, казалось бы, можно сделать
вывод о том, что в области энергий 1.7–1.9 эВ произошло гораздо большее
увеличение количества центров захвата электронов, чем в области 0.7–1.0 эВ.
Однако этот вывод оказывается ошибочным, так как если обратить
внимание на кривую 3, то оказывается, что следует сделать совсем другой
вывод. Из постоянства относительного спектра стимуляции ФСВЛ
следует, что при воздействии на кристалл УФ-светом образовались не
центры захвата электронов, а центры рекомбинации.

                                    41