ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
5
Введение
Воздействие излучения видимого и ультрафиолетового (УФ)
диапазонов на твердое тело (полупроводники, кристаллофосфоры.и т. д.)
вызывает разнообразные физические явления, к которым можно отнести:
люминесценцию, фотопроводимость, вспышку люминесценции,
фотостимулированные процессы, приводящие к перестройке структуры
кристалла. Световое воздействие на кристаллы в настоящее время стало
одним из мощных и легко управляемых средств контролируемого
изменения кристаллической структуры и свойств материалов.
В первой части курса рассматриваются так называемые
фотохимические реакции (ФХР), в основе которых лежат процессы,
стимулированные излучением и связанные с:
– миграцией или диффузией примесей и дефектов;
– образованием и преобразованием структурных дефектов;
– взаимодействием примесей с компонентами основной матрицы;
– изменением агрегатного состояния и т. д.
Причем такие явления могут быть как обратимыми, так и
необратимыми. Иногда для восстановления исходной структуры требуется
внешнее воздействие. Наиболее часто применяется температурное и
световое воздействие. Воздействие светового излучения на кристаллы
сопровождается тепловыми, термоупругими, термопластическими,
электрическими, люминесцентными и фотоэлектрическими эффектами.
Поглощение излучения из области собственного поглощения
приводит к:
– созданию неравновесной концентрации свободных носителей заряда;
– появлению внутренних электрических полей в приповерхностной
области;
– локальному и быстрому нагреву этих областей вплоть до их
плавления;
– возникновению в этих областях термоупругих и термопластических
деформаций.
Дополнительная плотность свободных электронов и дырок,
генерированных электромагнитным излучением, в свою очередь,
существенно влияет на такие свойства кристалла, как:
– диффузия, рекомбинация и захват носителей заряда;
– оптическое поглощение;
– перенос дефектов и примесей.
Электромагнитное излучение из области собственного или
примесного поглощения вызывает перезарядку примесных и других
дефектных центров. Поглощение света на колебаниях атомов (как на
примесных, так и на собственных атомах решетки) может усилить эти
Введение
Воздействие излучения видимого и ультрафиолетового (УФ)
диапазонов на твердое тело (полупроводники, кристаллофосфоры.и т. д.)
вызывает разнообразные физические явления, к которым можно отнести:
люминесценцию, фотопроводимость, вспышку люминесценции,
фотостимулированные процессы, приводящие к перестройке структуры
кристалла. Световое воздействие на кристаллы в настоящее время стало
одним из мощных и легко управляемых средств контролируемого
изменения кристаллической структуры и свойств материалов.
В первой части курса рассматриваются так называемые
фотохимические реакции (ФХР), в основе которых лежат процессы,
стимулированные излучением и связанные с:
– миграцией или диффузией примесей и дефектов;
– образованием и преобразованием структурных дефектов;
– взаимодействием примесей с компонентами основной матрицы;
– изменением агрегатного состояния и т. д.
Причем такие явления могут быть как обратимыми, так и
необратимыми. Иногда для восстановления исходной структуры требуется
внешнее воздействие. Наиболее часто применяется температурное и
световое воздействие. Воздействие светового излучения на кристаллы
сопровождается тепловыми, термоупругими, термопластическими,
электрическими, люминесцентными и фотоэлектрическими эффектами.
Поглощение излучения из области собственного поглощения
приводит к:
– созданию неравновесной концентрации свободных носителей заряда;
– появлению внутренних электрических полей в приповерхностной
области;
– локальному и быстрому нагреву этих областей вплоть до их
плавления;
– возникновению в этих областях термоупругих и термопластических
деформаций.
Дополнительная плотность свободных электронов и дырок,
генерированных электромагнитным излучением, в свою очередь,
существенно влияет на такие свойства кристалла, как:
– диффузия, рекомбинация и захват носителей заряда;
– оптическое поглощение;
– перенос дефектов и примесей.
Электромагнитное излучение из области собственного или
примесного поглощения вызывает перезарядку примесных и других
дефектных центров. Поглощение света на колебаниях атомов (как на
примесных, так и на собственных атомах решетки) может усилить эти
5
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- …
- следующая ›
- последняя »
