Фотостимулированные явления в твердых телах. Клюев В.Г. - 5 стр.

UptoLike

Составители: 

5
Введение
Воздействие излучения видимого и ультрафиолетового (УФ)
диапазонов на твердое тело (полупроводники, кристаллофосфоры.и т. д.)
вызывает разнообразные физические явления, к которым можно отнести:
люминесценцию, фотопроводимость, вспышку люминесценции,
фотостимулированные процессы, приводящие к перестройке структуры
кристалла. Световое воздействие на кристаллы в настоящее время стало
одним из мощных и легко управляемых средств контролируемого
изменения кристаллической структуры и свойств материалов.
В первой части курса рассматриваются так называемые
фотохимические реакции (ФХР), в основе которых лежат процессы,
стимулированные излучением и связанные с:
миграцией или диффузией примесей и дефектов;
образованием и преобразованием структурных дефектов;
взаимодействием примесей с компонентами основной матрицы;
изменением агрегатного состояния и т. д.
Причем такие явления могут быть как обратимыми, так и
необратимыми. Иногда для восстановления исходной структуры требуется
внешнее воздействие. Наиболее часто применяется температурное и
световое воздействие. Воздействие светового излучения на кристаллы
сопровождается тепловыми, термоупругими, термопластическими,
электрическими, люминесцентными и фотоэлектрическими эффектами.
Поглощение излучения из области собственного поглощения
приводит к:
созданию неравновесной концентрации свободных носителей заряда;
появлению внутренних электрических полей в приповерхностной
области;
локальному и быстрому нагреву этих областей вплоть до их
плавления;
возникновению в этих областях термоупругих и термопластических
деформаций.
Дополнительная плотность свободных электронов и дырок,
генерированных электромагнитным излучением, в свою очередь,
существенно влияет на такие свойства кристалла, как:
диффузия, рекомбинация и захват носителей заряда;
оптическое поглощение;
перенос дефектов и примесей.
Электромагнитное излучение из области собственного или
примесного поглощения вызывает перезарядку примесных и других
дефектных центров. Поглощение света на колебаниях атомов (как на
примесных, так и на собственных атомах решетки) может усилить эти
     Введение

     Воздействие излучения видимого и ультрафиолетового (УФ)
диапазонов на твердое тело (полупроводники, кристаллофосфоры.и т. д.)
вызывает разнообразные физические явления, к которым можно отнести:
люминесценцию,      фотопроводимость,      вспышку    люминесценции,
фотостимулированные процессы, приводящие к перестройке структуры
кристалла. Световое воздействие на кристаллы в настоящее время стало
одним из мощных и легко управляемых средств контролируемого
изменения кристаллической структуры и свойств материалов.
     В первой части курса рассматриваются так называемые
фотохимические реакции (ФХР), в основе которых лежат процессы,
стимулированные излучением и связанные с:
     – миграцией или диффузией примесей и дефектов;
     – образованием и преобразованием структурных дефектов;
     – взаимодействием примесей с компонентами основной матрицы;
     – изменением агрегатного состояния и т. д.
     Причем такие явления могут быть как обратимыми, так и
необратимыми. Иногда для восстановления исходной структуры требуется
внешнее воздействие. Наиболее часто применяется температурное и
световое воздействие. Воздействие светового излучения на кристаллы
сопровождается тепловыми, термоупругими, термопластическими,
электрическими, люминесцентными и фотоэлектрическими эффектами.
     Поглощение излучения из области собственного поглощения
приводит к:
     – созданию неравновесной концентрации свободных носителей заряда;
     – появлению внутренних электрических полей в приповерхностной
области;
     – локальному и быстрому нагреву этих областей вплоть до их
плавления;
     – возникновению в этих областях термоупругих и термопластических
деформаций.
     Дополнительная плотность свободных электронов и дырок,
генерированных электромагнитным излучением, в свою очередь,
существенно влияет на такие свойства кристалла, как:
     – диффузия, рекомбинация и захват носителей заряда;
     – оптическое поглощение;
     – перенос дефектов и примесей.
     Электромагнитное излучение из области собственного или
примесного поглощения вызывает перезарядку примесных и других
дефектных центров. Поглощение света на колебаниях атомов (как на
примесных, так и на собственных атомах решетки) может усилить эти

                                  5