Фотостимулированные явления в твердых телах. Клюев В.Г. - 6 стр.

колебания и увеличить вероятность перехода атомов в активированное
состояние. Такие процессы, стимулированные излучением, способствуют:
      – образованию или аннигиляции (исчезновению, распаду) дефектов;
      – возникновению внутренних электрических, упругих, температурных
полей;
      – изменению скорости диффузии дефектов и в конечном счете
изменению свойств кристалла.
      Механизмы влияния электромагнитного излучения на процессы
дефектообразования и атомного перемещения можно свести в основном к
четырем процессам:
      1) дрейфу ионов в электрическом поле;
      2) изменению зарядового состояния атома;
      3) возбуждению колебательных мод атома при безызлучательной
         рекомбинации на нем электрона;
      4) фотон-фононному взаимодействию посредством длинноволнового
         (ИК) поглощения.
      Под действием освещения в кристаллах могут возникнуть
внутренние электрические поля. Возникновение таких полей обусловлено
генерацией светом свободных носителей заряда и их неравномерным
распределением вследствие диффузии. Внутренние электрические поля
(наряду с внешними) могут изменить потенциальный рельеф
кристаллической решетки, приводя к уменьшению потенциального
барьера в направлении действия электрического поля и тем самым
увеличивая вероятность перескока иона в этом направлении (рис. а)).




      Изменение потенциального барьера: до (–) и при световом
воздействии (- - -) для различных механизмов диффузии: а) дрейфовый
механизм; б) изменение зарядового состояния; в) возбуждение
колебательной энергии атома при электронном захвате




                                  6