Фотостимулированные явления в твердых телах. Клюев В.Г. - 8 стр.

      – Еа может включать в себя энергии различных потенциальных
барьеров,    окружающих реагирующие центры;
      – Еа может быть комбинацией перечисленных величин.
      Обратимость.
      Характерным свойством ФХР является их обратимость, т. е.
изменения свойств кристалла, вызванные освещением, можно устранить
(«стереть»). Это может быть достигнуто либо путем прогревания
кристалла до достаточно высоких температур и последующим
охлаждением в темноте, либо освещением его более длинноволновым
(«ИК») по сравнению с актиничным (вызывающим ФХР) светом. Такое
освещение вызывает перезарядку центров, образовавшихся в результате
ФХР. Такая перезарядка может приводить к существенному уменьшению
энергии активации разрушения Еар продуктов реакции и, следовательно, к
понижению температуры стирания (восстановления свойств кристалла).
      Насыщение ФХР
      В эксперименте все кинетические кривые стремятся к насыщению.
Например, значению Jлюм. насыщ. может соответствовать различное состояние
кристалла:
      1) происходит полное преобразование исходных центров в конечные
         продукты ФХР. Условием этого является Еа образования<< Еа разрушения.
         При этом Jлюм. насыщ. не зависит от Т (при Т < Тразрушения);
      2) значению Jлюм. насыщ. соответствует состояние динамического
         равновесия между процессами образования и разрушения
         центров. Это наблюдается при сравнимых значениях энергий
         активации обоих процессов Еа образования<< Еа разрушения.

      1.2. Два подхода к изучению ФХР
      Эксперименты показывают, что, будучи термоактивированными
процессами, ФХР протекают с обнаружимой за доступное в эксперименте
время скоростью при температурах, превышающих некоторую Т0. Поэтому
для обнаружения и изучения ФХР могут быть предложены два различных
подхода: стационарный и кинетический.
      1) Стационарный подход основан на сравнении характеристик
образца при достаточно низких температурах, при которых ФХР явно не
протекают. При этом кристалл может находиться последовательно в одном
из двух состояний: условно – в состоянии А, когда кристалл или исходный,
или дезактивирован одним из вышеуказанных способов, и затем – в
состоянии Б, когда дезактивированный образец определенное время
находился в условиях, при которых протекают ФХР (повышенная
температура + освещение).
      2) Кинетический подход состоит в исследовании кинетики
изменения различных свойств образца в той области температур, где ФХР
идут достаточно быстро.
                                      8