Фотостимулированные явления в твердых телах. Клюев В.Г. - 7 стр.

      Для реально достижимых напряженностей внешнего электрического
поля Е ~ 106 B/см изменение высоты потенциального барьера может
составить Е ~ 0.1 эВ.
      Изменение зарядового состояния атомов в кристаллах           под
действием оптического      возбуждения, инжекции носителей заряда,
легирования, изменения температуры и т. д. может сопровождаться
изменением геометрического положения равновесия в решетке (узел,
междоузлие и др.) или образованием комплексов, что в конечном итоге
приводит к изменению скорости миграции атома (рис. б)). В этом случае
энергия активации диффузии может уменьшиться на энергию ионизации
примесного атома.
      Третий механизм диффузии связан с передачей энергии, выделяемой
при безызлучательной рекомбинации (рис. в)). Уменьшение высоты
потенциального барьера для миграции в этом случае равно разности
энергий атома в начальном и конечном, с захваченным на него электроном
состояниях.
      Четвертый механизм фотостимулированной миграции состоит в
возбуждении колебаний атомов электромагнитным излучением в
результате ИК поглощения, т. е. в передаче энергии от фотона фонону
через промежуточные состояния.
      Вторая      часть   курса    посвящена      описанию      метода
фотостимулированной вспышки люминесценции (ФСВЛ), который
успешно применяется на кафедре оптики и спектроскопии для
исследования электронной структуры широкозонных кристаллофосфоров,
а также для изучения процессов перестройки этой структуры под
воздействием излучения.

Часть 1. Фотохимические реакции

     1.1. Различные проявления ФХР и их основные свойства
     Термоактивационный характер
     Все ФХР являются, как правило, термоактивационными процессами.
Это означает, что скорость протекания ФХР (т. е. скорость изменения той
или иной характеристики кристалла при освещении) уменьшается с
понижением температуры засветки Тз и наоборот. Параметром,
характеризующим термоактивационность процесса, является энергия
активации Еа .
     Энергия активации ФХР Еа может иметь различную природу. Она
может представлять собой:
     – Еар – энергию активации разрушения комплексов дефектов;
     – Еад – энергию активации диффузии простых дефектов;
     – Еам – энергию активации миграции дефектов;

                                   7