Компьютерное моделирование. Клюев С.А. - 82 стр.

UptoLike

Составители: 

82
Одна из причин уменьшения коэффициента φ связана с возрастанием дисперсии в
расположении молекул на поверхности.
Электрохимически активные соединения могут быть иммобилизованы в пленке (рис. 20),
проницаемость которой для ионов электролита ограничена.
Рис. 20. Модель пленки.
В этом случае на форму и величину электрохимического отклика оказывают влияние
диэлектрические свойства пленки, которые учитываются в следующей математической
модели:
i = -(φn
2
F
2
/RT)( E/t)AГf(1-f)(1-Ø/E) (26);
C = C
1
(1-Ø/E) (27);
С
1
= ε
0
ε
1/
d
1
(28);
f = Г
red
/Г, Ø электростатический потенциал в плоскости редокс-центров, С- суммарная
емкость, d
1
- расстояние от поверхности электрода до плоскости редокс-центров, ε
0
,
ε
1
диэлектрические постоянные. Форма электрохимического отклика есть функция
поверхностной концентрации, толщины пленки и диэлектрической постоянной. В
описываемой модели предполагается жесткое закреплениечастиц в гипотетической пленке.
Одна из причин уменьшения коэффициента φ связана с возрастанием дисперсии в

расположении молекул на поверхности.

  Электрохимически активные соединения могут быть иммобилизованы в пленке (рис. 20),

проницаемость которой для ионов электролита ограничена.




                                    Рис. 20. Модель пленки.

  В этом случае на форму и величину электрохимического отклика оказывают влияние

диэлектрические свойства пленки, которые учитываются в следующей математической

модели:

          2 2
  i = -(φn F /RT)( ∂E/∂t)AГf(1-f)(1-∂Ø/∂E)                             (26);

  C = C1(1-∂Ø/∂E)                                                      (27);

  С1 = ε0ε1/d1                                                         (28);

  f = Гred/Г, Ø – электростатический потенциал в плоскости редокс-центров, С- суммарная

емкость, d1- расстояние от поверхности электрода до плоскости редокс-центров, ε0, ε1 –

диэлектрические     постоянные.    Форма     электрохимического   отклика      есть   функция

поверхностной     концентрации,   толщины     пленки   и   диэлектрической     постоянной.   В

описываемой модели предполагается “жесткое закрепление” частиц в гипотетической пленке.



                                              82