ВУЗ:
Составители:
12. Приведите график изменения резонансной частоты индуктора.
13. Приведите схемы планарного индуктора и мембраны.
14. Приведите экспериментальные и расчетные зависимости реак-
тивного сопротивления от частоты для индукторов на диэлектриче-
ской мембране и на толстой кремниевой подложке.
15. Приведите график изменения добротности подвешенного пла-
нарного индуктора при применении разной глубины травления.
16. Перечислите достоинства и недостатки GaAs-устройств.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Необходимо отметить, что номенклатура сенсорных и актюатор-
ных элементов микросистемной техники очень широка. В настоящее
время элементная база МСТ в значительной степени развивается
благодаря разработке и применению новых структурных материалов,
технологий изготовления, физических эффектов и принципов функци-
онирования сенсорных и актюаторных элементов, расширению обла-
стей их использования.
В данном учебном пособии рассмотрены основные элементы и
компоненты микросистемной техники, получившие широкое распро-
странение в мире.
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
1. Вернер В.Д., Мальцев П.П., Резнев А.А., Сауров А.Н., Чаплы-
гин Ю.А. Современные тенденции развития микросистемной
техники // Нано- и микросистемная техника.– 2008.– №8.– С. 2-6.
2. Лучинин В.В., Мальцев П.П. О термине «Микросистемная тех-
ника» в русском и английском языках // Нано- и микросистемная
техника.– 2006.– №2.– С. 39-41.
3. Мальцев П.П. О терминологии в области микро- и наносистем-
ной техники // Нано- и микросистемная техника.– 2005.– №9.– С.
2-4.
4. Вернер В.Д., Иванов А.А., Коломенская Н.Г., Лучинин В.В.,
Мальцев П.П., Попова И.В., Сауров А.Н., Телец В.А. Изделия
микросистемной техники – основные понятия и термины //
Нано- и микросистемная техника.– 2007.– №12.– С. 2-5.
114
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 112
- 113
- 114
- 115
- 116
- …
- следующая ›
- последняя »