Конструирование гибридных интегральных микросхем. Коноплев Б.Г. - 10 стр.

UptoLike

Составители: 

10
+
=
0
0
0
0
*
%100
%100
minmax
minmin
ρ
ρ
δ
ρ
ρ
δ
RR
RR
n
c
, (3.16)
где
+=
%100
1max
R
RR
δ
;
=
%100
1min
R
RR
δ
;
+
=
%100
1
%100
1max
min
*
ТЕХ
ТЕХ
R
R
δ
δ
;
()
()
;max}%]100[%]100[]{[
5,022
0
2
0
TtK
R
R
рабстдлпR
=
Σ
ρρ
αδδδδ
5,022
0
0
}][]{[
=
Ф
Ф
ТЕХ
К
K
δ
ρ
ρ
δδ
;
(
)
(
)
b
Kb
К
К
ф
ф
ф
%100]1[||
5,0
2
+
=
δ
δ
,
b – выбирается больше наибольшего из двух величин b
min
и b
p
.
Дробное значение n
c
округляется до большего целого числа. Если
расчетное значение l
c
меньше l
min
, то длина дополнительной секции
принимается равной l
min
. В этом случае корректируется ширина резистора и
длина основной секции
c
l
lb
b
min
`
= (3.17)
b
bl
l
`
0
0
`
= . (3.18)
а б
Рис. 3.3. Конструкция резисторов повышенной точности; с плавной (а) и
ступенчатой (б) подгонкой сопротивления. Стрелками показаны места и
направления перерезания пленок при подгонке.
3.1.4. Пленочные конденсаторы
Типовая конструкция пленочного конденсатора показана на рис. 3.4.
Характеристики некоторых материалов пленочных конденсаторов
приведены в прил.IV. Для изготовления тонкопленочных конденсаторов с
в
в
max
в
l
осн
l
секц