Конструирование гибридных интегральных микросхем. Коноплев Б.Г. - 11 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

11
емкостью 10-1000 пФ широко используют моноокись кремния; применение
моноокиси германия или электровакуу много стекла С44-I позволяет
изготовить конденсаторы с емкостью до 10.000 пФ. В микросхемах,
изготавливаемых по танталовой технологии [4] в качестве диэлектрика
используется пятиокись тантала, полученная электрохимическим
анодированием нижней обкладки конденсатора; при этом удается получить
емкость до 0,1 мкФ. Для изготовления диэлектрических паст конденсаторов
толстопленочных ГИС используют керамический материал Va-2 (ГОСТ
5458-64) и флюс №6 (ТУ 17 РСФСР 4275-70). В зависимости от рецептуры
получают пасту ПК 1000-30, применяемую для изготовления конденсаторов
с емкостью до 500 пФ, а также пасту ПК-12, обеспечивающую получение
конденсаторов с емкостью до 5000 пФ.
Емкость пленочного конденсатора в пикофарадах определяется по
формуле
00
0
0885,0 SC
d
S
C ==
ε
(3.19)
где ε - относительная диэлектрическая проницаемость диэлектрика;
S
0
= LB – площадь взаимного перекрытия обкладок, см
2
;
d – толщина диэлектрика, см;
С
0
– удельная емкость, пФ/см
2
.
Для ум еньшения погрешности емкости рекомендуе тся проектировать
конденсаторы квадратной формы, S
0
≥ 5 мм
2
.
Исходными данными для расчета конденсатора являются:
- номинальная величина ёмкости С, пФ;
- допустимое отклонение фактической величины емкости от номинала
±δ(∆С/С),% ;
- рабочее напряжение U
p
, В;
- коэффициент запаса электрической прочности К
з
(К
з
≈ 2-10, при
повышенных требованиях к надежности следует выбирать большие
значения К
з
из рекомендованного диапазона);
- условия эксплуатации и хранения: Тmin, Тmax, K, t
раб
, или t
хр
, ч;
- конструктивно-технологические ограничения: рекомендуемые
толщины диэлектрика d
min
и d
max
, мкм (см. прил. IV);
- погрешность воспроизведения заданной толщины
()
%105 −±=
∆
±
d
d
δ
; суммарная площадь взаимного перекрытия обкладок
конденсаторов на плате не должна превышать 2 см
2
, минимальная площадь
обкладок – 1 мм
2
; нижняя обкладка должна выступать за край верхней не
менее чем на 200 мкм для тонкопленочных ГИС и на 300 мкм для
толстопленочных, диэлектрик должен выступать за край нижней обкладки
не менее чем на 100 мкм для тонкопленочных и на 200 мкм для
толстопленочных ГИС.
d
3
4
1
2

Страницы