Конструирование гибридных интегральных микросхем. Коноплев Б.Г. - 12 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

12
Рис 3.4. Конструкция пленочного конденсатора. 1 – верхняя обкладка,
2 – диэлектрический слой, 3 – нижняя обкладка, 4 – подложка,
5 и 6 – выводы.
Для выбранного материала диэлектрика по прил. IV определяются
характеристики: среднее значение
ε
и допуск
∆
±
ε
ε
δ
; электрическая
прочность Е
пр
; температурный коэффициент емкости (ТКЕ); среднее
значение
ε
α
и допуск
(
)
ε
α
δ
∆
±
; и среднее значение
ε
СТ
K и допуск
()
ε
α
δ
∆± коэффициента старения.
Расчет конденсатора начинают с определения допустимой
геометрической составляющей погрешности емкости (при L = B)
−
∆
−
∆
−
∆
=
∆
=
∆
=
2
Σ
22
][][]{[
d
d
C
C
B
B
L
L
допдопдоп
Sддо
δ
ε
ε
δδδδδ
()
(
)
5,0
max
22
}%]100[%]100[ TtK
рабСТ
∆∆−∆−
εε
αδδ
, (3.20)
где [δ(∆α
ε
)∆T⋅100%]
max
– максимальное значение случайной
составляющей погрешности при изменении температуры; выбирается
большее значение из двух: |δ(∆α
ε
)(T
max
– T
н
)100%| или |δ(∆α
ε
)(T
min
–
T
н
)100%|;
(
)
доп
C
C
Σ
∆
δ
- допустимая величина случайной составляющей поля
допуска определяется аналогично
(
)
доп
R
R
Σ
∆
δ
по формулам (3.3) и (3.4); при
этом необходимо R заменить на С,
0
ρ
α
на
ε
α
,
0
ρ
СТ
K на
ε
СТ
K .
Расчетное значение толщины диэлектрического слоя d
расч
определяется
из следующего условия: d
расч
должно быть больше наибольшей из трех
величин d
min
, d
U
, d
δ
, где d
U
– минимально допустимое значение толщины,
определяемое рабочим напряжением; d
δ
- минимально допустимое значение
толщины, определяемое допустимой геометрической составляющей
погрешности. С другой стороны, d
расч
не должно превышать d
max
.
пр
зp
U
Е
KU
d = ; (3.21)
B
L
2
в
1
5

Страницы