Конструирование гибридных интегральных микросхем. Коноплев Б.Г. - 31 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

31
верхняя
обкладка
ПК1000-30 200 +4 300
ПК-12
ПП-1,
ПП-3–
нижняя,
ПП-2–
верхняя
обкладка
20 – 80
450
±6
0,6
10
0,035
0
±10
±0
±5
213–358
ПРИЛОЖЕНИЕ 5
БЕСКОРПУСНЫЕ КОМПОНЕНТЫ ГИС
Таблица 5.1
Полупроводниковые приборы и микросхемы
Наименование Обозначение Масса,
мг,
не
более
Максимальная
рассеиваемая
мощность мВт, при
температуре 293К
Внутреннее
тепловое
сопротивление,
К/мВт
Максимальная
температура
p-n-переходов,
К
Диапазон
рабочих
температур,
К
Габаритный
чертеж
( рис ).
Биполярный
транзистор,
n-p-n
2Т 625-2,
Я53.365.022-ТУ
15
1000
0,05*
408
213 – 358
3.5, а
То же КТС 395,
аАО.336.067-ТУ
50 300 0,10* 423 213 – 358 3.5, б
Биполярный
транзистор,
p-n-p
КТС 394,
ААО.336.067-ТУ
50
300
0,10*
423
213 – 358
3.5, б
То же 2Т 360,
ЩТО.335.059-ТУ
3 10 7,00 393 233 – 358 3.5, в
Биполярный
транзистор,
n-p-n
2Т 354,
СБО.336.038-ТУ
3
30
1,70
423
213 – 398
3.5, г
То же КТ 379,
аАО.036.030-ТУ
10 25 1,50 373 233 - 358 3.5, д

Страницы