Конструирование гибридных интегральных микросхем. Коноплев Б.Г. - 30 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

30
ПРИЛОЖЕНИЕ 4
МАТЕРИАЛЫ ПЛЕНОЧНЫХ КОНДЕНСАТОРОВ ГИС
Относительная
диэлектическая
проницаемость
ТКЕ в интер-
вале температур
Коэффициент
старения
Материал
диэлектри-
ческого
слоя
Матери-
ал обкла-
док
Рекомен-
дуемые
толщины
диэлект-
рика d,
мкм
Сре
днее
знач
ение
ε
Допуск
,
∆
±
ε
ε
δ
%
Электри
ческая
проч-
нисть
,10
6
⋅
пр
E
смВ /
Мак-
си-
маль-
ная
час-
тота
мах
f ,
МГц
Тангенс
угла ди-
электри-
ческих
потерь
δ
tg
Сред-
нее
зна-
чение
⋅
ε
α
10
-4
,
1/К
Допуск
⋅
∆
)(
ε
α
δ
10
-4
, 1/К
Сред-
нее
значе-
ние
⋅
ε
Ct
K
10
5
, 1/ч
Допуск
⋅
∆
)(
ε
δ
CT
K
10
5
, 1/ч
Диапа-
зон
рабо-
чих тем-
ператур,
К
Моноокись
кремния,
ГОСТ
5634-70
5,5
±3
2,0 500
0,01-
0,02
2,0
±0,5
0
±4
213 -398
Моноокись
германия,
ГОСТ
19602-74
0,3 – 4
11
±4
1,0
0,005 –
0,007
3,0
±0,5
-1
+0,1
213 -358
Стекло
электро-
вакуумное
С44-1,
ОСТ 11
ПО.094.
022-73
Алюми-
ний
0,1 – 0,5 5,1
±1
3,0
300
0,002 –
0,003
1,2
±0,6
0
±3
213–398
Пятиокись
тантала
Тантал-
нижняя,
алюми-
ний-
0,1–0,4 22
±4
2,0 0,1
0,02
3
±1
0
±5
213–398

Страницы