Конструирование гибридных интегральных микросхем. Коноплев Б.Г. - 32 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

32
Продолжение таблицы 5.1
Наименование Обозначение Масса, мг,
не более
Максимальная
рассеиваемая
мощность
мВт, при тем-
пературе 293К
Внутреннее
тепловое
сопротивление,
К/мВт
Максимальная
температура
p-n-переходов,
К
Диапазон
рабочих
температур,
К
Габаритный
чертеж
( рис )
Биполярный
транзистор,
p-n-p
КТ 380,
аАО.036.028ТУ
10
25
1,50
373
233 - 358
3.5, д
Полевой
транзистор
n-канал
2П201
ТФЗ.365.006ТУ
5
60
1,75
408
213 - 358
3.5, е
Полевой
транзистор
p-канал
2ПС202
ТФО.336.010ТУ
2
30
3,00
418
213 – 398
3.5, ж
Диодная
матрица с
общим
катодом
КД907А-Г,
РЗ.362.036ТУ
10
30
2,00
378
213 – 358
3.5, з
То же с общим
анодом
КД918А-Г,
РЗ.362.022ТУ
10 30 2,00
378
213 – 358 3.5, з
ИПС,
операционный
усилитель
740УД4-1,
бКО.347.021ТУ
10
85
0,40
408
213 – 373
3.6, а
ИПС, JK–
триггер
7ТКО31,
ЩИЗ.410.017ТУ
5 90 0,25 423 213 – 398 3.6, в
ИПС,
2 элемента
«И-НЕ»
7ЛБО31,
ЩПЗ.402.036ТУ
5
30
0,25
423
213 - 398
3.6, г

Страницы