Конструирование гибридных интегральных микросхем. Коноплев Б.Г. - 36 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

36
ПРИМЕР РАЗРАБОТКИ КОНСТРУКЦИИ ГИС
Рассмотрим кратко основные вопросы расчета и разработки
топологии ГИС на примере проектирования компаратора, схема которого
показана на рис. 7.1. ( чtКТКT
рабминмакс
1000,233,358
.
=
=
=
). Элементы,
выделенные пунктирной линией, реализуются в виде бескорпусной ИПС,
обозначаемой как А1. В табл. cведены параметры резисторов компаратора.
Параметры резисторов
Параметр
R1
R2
R3
R4
R5
R6
R7
R8
R9
R, кОм 10 2,7 2 2,7 3,6 10 0,6 0,4 2,4
,%
доп
R
R
∆
δ
10 30 30 30 20 10 2,3 10 20
Р, мВт 3,77 3,33 7,41 0,83 0,003 0,06 15 10 6,67
Для конденсатора С = 100 пФ ±20%;
p
U = 0,1 В. Для транзисторов VT1;
VT2; мощность рассеивания равна 1,13 и 1,28 мВт соответственно; для VT3
(2Т354А) – 2,37 мВт.
В качестве материала резисторов ГИС выбираем сплав №3 (прил.3), при
этом величины
ф
K , определенные из формулы (3.2), лежат в пределах 1,143
– 28,571. Проведем расчет для резистора R9 при
мин
в = 100 мкм,
()
б∆
δ
= 10
мкм. По формуле (3.2) определим
857,6
35,0
4,2
==
ф
К .
Из формул (3.5) - (3.7)
%24,0%;26,0
;0%10010000
%;24,0%100)293233(104,0
%;26,0%100)293358(104,0
4
4
−=
∆
=
∆
=⋅⋅=
∆
−=⋅−⋅=
∆
=⋅−⋅=
∆
−+
ΣΣ
−
−
R
R
М
R
R
М
R
R
М
R
R
М
R
R
М
СТ
Tмми
Tммак
По формуле (3.3) при
ξ
= 1,15 определим
%13,1726,0
15,1
20
=−=
∆
Σдоп
R
R
δ
.
По формуле (3.8) определим
[]
{}
%38,16]100)293358(102,0[]10010105,0[]5[13,17
5,0
242352
2
=⋅−⋅−⋅⋅⋅−−=
∆
−−
доп
ф
ф
К
К
δ

Страницы