Конструирование гибридных интегральных микросхем. Коноплев Б.Г. - 37 стр.

UptoLike

Составители: 

37
Рис. 7.1. Схема электрическая принципиальная компаратора
Используя формулы (3.9) и (3.10), получим (8,0
=
н
К )
мкмв 62
38,16
100
857,6
1
110
5,0
2
=
+
=
δ
.
мкмммв
р
122112,0
857,68,010
67,6
5,0
==
= .
Выбираем мкмв
расч
130= .
По формуле (3.11) получим
мкммкмl
расч
890891857,6130
=
= .
Аналогично рассчитываются резисторы R5 и R8.
Рассчитаем высокоомный резистор R1, спроектировав его в форме
«меандра» (см. рис. 3.2, б). Определим по формулам (3.2) и (3.11)
расч
в =150
мкм, мкмl
ср
65,4285571,28150 =
= .
По формуле (3.13) рассчитаем число элементов сопряжения
37,25,0
11
571,28
=
+
=n .
Для П-образных элементов
213
=
=
n .
По формуле (3.12)
мкмl 65,30854215065,4285
=
=
Σ
.
Тогда длина каждого из трех прямолинейных участков резистора равна
3085,65 : 3 = 1028,55 1030 мкм.
Аналогично рассчитывается резистор R6.
Рассчитаем резистор повышенной точности R7 с учетом ступенчатой
подгонки (см. рис. 3.3, б).
По формуле (3.2) определим
714,1
350
600
==
ф
К .
Определяем по формуле (3.3)
%74,126,0
15,1
3,2
==
Σдоп
R
R
δ
.
По формуле (3.9) получим