Конструирование гибридных интегральных микросхем. Коноплев Б.Г. - 38 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

38
[]
{}
.24,22]100)293358(102,0[]10010105,0[]5[74,1
5,0
242352
2
−=⋅−⋅−⋅⋅⋅−−=
∆
−−
доп
ф
ф
К
К
δ
Так как подкоренное выражение меньше нуля, необходимо
проектировать резистор с подгонкой.
По формуле (3.10)
мкмммв
р
1046046,1
714,18,010
15
5,0
==
⋅⋅
= .
Выбираем
1050=в мкм.
По формулам (3.14) и (3.15) определим
[]
{}
.7,1742
100
5
1350
105096,609
;9,56
100
5
1350
1050)04,59096,609(
;54,550
100
12,5
1
100
12,5
196,609
;04,509
100
66,1
1600
;96,609
100
66,1
1600
%;66,1]100)293358(102.0[]1001000105,0[74,1
%;12,5])10,1()5[(
%;10,1
1050
100
714,1
1
110
*
5,0
2425
2
5,022
5,0
2
мкмl
мкмl
ОмR
ОмR
ОмR
К
К
О
С
мин
мин
макс
R
тех
ф
ф
=
+
⋅
=
=
+
⋅−
=
=
+
−
=
=
−=
=
+=
=⋅−⋅−⋅⋅⋅−=
=+=
=
⋅
+
=
∆
−−
δ
δ
δ
Так как полученное значение
минC
ll
<
, то выбираем длину секции
100==
минC
ll мкм.
Скорректированные значения ширины и длины определяем по формулам
(3.17) и (3.18)
18501845
9.56
1050100
≈=
⋅
=
′
в мкм;
30704,3070
1050
18507,1742
≈=
⋅
=
′
О
l мкм.
Число секций П
С
(3.16)
19,2
5100
5100
04,59096,609
54,55004,590
=
−
+
⋅
−
−
=
С
П .

Страницы