ВУЗ:
Составители:
39
Выбираем 3=
С
П .
Рассчитаем конденсатор
1С . В качестве диэлектрика выбираем
моноокись кремния (см. прил. 4). Принимаем
%10,8 =
∆
=
d
d
К
З
δ
.
По формулам (3.3) – (3.7)
%.09,163,1
15,1
20
;0
%;2,1100)293358(102
%;3,1100)293358(102
4
4
=−=
∆
=
∆
=⋅−⋅=
∆
=⋅−⋅=
∆
Σ
−
−
доп
СТ
Тмин
Тмакс
С
С
С
С
М
С
С
М
С
С
М
δ
По формуле (3.20) определим
[]
{}
%.57,11]100)293358(105,0[]1001000104[]10[]3[09,16
5,0
242522
2
=⋅−⋅⋅−⋅⋅⋅−−−=
−−
sддо
δ
Используя формулы (3.21) и (3.22), получим
004,0104
102
81,0
7
6
=⋅=
⋅
⋅
=
−
смd
U
мкм;
015,0105,1
100
3
1
100
57,11
100
)1010(5,5354,0
6
2
24
=⋅=
+⋅
⋅⋅⋅
=
−
смd
δ
мкм.
Учитывая, что 3,0=
мин
d мкм, выбираем 5,0
=
расч
d мкм.
По формуле (3.23)
027,110027,1
5,50885,0
105,0100
2
4
=⋅=
⋅
⋅⋅
=
−
−
cмS
O
мм
2
;
101001,1027,1 ==== ммBL мкм.
Эскиз топологии ГИС компаратора показан на рис. 7.2.
Оценим тепловой режим ИПС, расположенной на плате ГИС вблизи
резистора R7, выделяющего наибольшую мощность (тепловыми полями
остальных элементов и компонентов для простоты в этом примере
пренебрегаем).
Для подложки из ситалла (см. прил. 1) определим по экспликации к
формуле (3.26) эквивалентную толщину
08,1
3,0
1,043,1
6,0 =
⋅
+=l мм.
Собственный перегрев ИПС определим по формуле (3.26). Площадь
ИПС
0,10,10,1
1
=
⋅
=
A
S мм
2
; ее относительные размеры 46,0
08,12
0,1
=
⋅
== rq .
По графикам (см. рис. 3.6) определим 43,0),(
=
qr
γ
.
Тогда при мощности, рассеиваемой ИПС
14
1
=
A
P мВт, получим
